[發明專利]帶發電功能的半導體集成電路裝置

在審

• 申請號: 202080020452.X
• 申請日: 2020-03-02
• 公開（公告）號: CN113574689A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 后藤博史;坂田稔
• 申請（專利權）人: GCE研究開發有限公司
• 主分類號: H01L37/00
• 分類號: H01L37/00;H01L23/12;H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18;H05K1/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 崔成哲;黃綸偉

提供一種能夠抑制電路基板的大型化的帶發電功能的半導體集成電路裝置。帶發電功能的半導體集成電路裝置(200)具有半導體集成電路裝置和熱電元件(1)。半導體集成電路器件包含收納半導體集成電路芯片(230)的封裝件(210)。半導體集成電路芯片(230)具有與電路基板對置的下表面、及與所述搭載面對置的上表面。熱電元件(1)包括：殼體部，其具有收納部；第一電極部，設置于收納部內；第二電極部，其設置于容納部內，在第一方向上與第一電極部分離并對置，具有與第一電極部不同的功函數；以及中間部，其設置于容納部內的第一電極部與第二電極部之間，包含具有第一電極部的功函數與第二電極部的功函數之間的功函數的納米粒子。殼體部設置在半導體集成電路芯片(230)的上表面側。

技術領域

本發明涉及帶發電功能的半導體集成電路裝置。

背景技術

近來，考慮人工熱源發出的熱的有效利用。作為人工熱源之一，存在半導體集成電路裝置。半導體集成電路裝置在動作時發出較高的熱。現狀是，該熱經由散熱器等向半導體集成電路裝置外發散。

在專利文獻1中公開了一種熱電元件，其具備以亞微米的間隔分離發射極電極層和集電極電極層的電絕緣性的球狀納米珠，使發射極電極層的功函數比集電極電極層的功函數小，將分散有具有發射極電極層和集電極電極層的中間的功函數且粒徑比球狀納米珠小的金屬納米粒子的金屬納米粒子分散液填充到被球狀納米珠分離的電極間的空間。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利第6147901號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在專利文獻1所公開的熱電元件中，使發射極電極層的功函數小于集電極電極層的功函數，并將金屬納米粒子分散液填充到被球狀納米珠分離得到的電極間的空間。由此，即使沒有如塞貝克元件那樣使熱電元件的電極間產生溫度差的機構，熱電元件也能夠發電。

只要能夠通過這樣的在電極間不需要溫度差的熱電元件獲得半導體集成電路裝置發出的熱能而進行發電，就有希望用作利用了半導體集成電路裝置的電子設備的輔助電源等。

然而，需要將熱電元件搭載于電路基板等，存在使電路基板的大型化的情況。

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種能夠抑制電路基板的大型化的帶發電功能的半導體集成電路裝置。

用于解決課題的手段

第一發明的帶發電功能的半導體集成電路裝置具有：半導體集成電路裝置；以及熱電元件，其將從所述半導體集成電路裝置放出的熱能轉換為電能，其特征在于，所述半導體集成電路裝置具有收納半導體集成電路芯片的封裝件，所述半導體集成電路芯片具有與電路基板對置的下表面以及與所述下表面對置的上表面，所述熱電元件具有：殼體部，其具有收納部；第一電極部，其設置在所述收納部內；第二電極部，其設置在所述收納部內，與所述第一電極部在第一方向上分離并對置，具有與所述第一電極部不同的功函數；以及中間部，其設置在所述收納部內的所述第一電極部與所述第二電極部之間，包含如下納米粒子，該納米粒子具有所述第一電極部的功函數與所述第二電極部的功函數之間的功函數，所述殼體部設置在所述半導體集成電路芯片的所述上表面側。

第二發明的帶發電功能的半導體集成電路裝置的特征在于，在第一發明中，所述熱電元件還包含：第一連接布線，其與所述第一電極部電連接，將所述第一電極部向所述收納部之外導出；第二連接布線，其與所述第二電極部電連接，將所述第二電極部向所述收納部之外導出；以及所述第一電極部與所述第一連接布線的第一電接點、以及所述第二電極部與所述第二連接布線的第二電接點分別設置在所述收納部內。