[發明專利]電阻材料、電阻器以及電阻材料的制造方法

有效

• 申請號: 202080020106.1
• 申請日: 2020-03-03
• 公開（公告）號: CN113543909B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 松原周平;仲村圭史
• 申請（專利權）人: KOA株式會社
• 主分類號: B22F1/12
• 分類號: B22F1/12;B22F3/10;B22F3/14;C01G23/047;H01C13/00;C22C1/05;H01C7/00
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

用于檢測電流的電阻材料(11a)包括：選自鎳鉻、銅錳以及銅鎳的金屬粒子；選自氧化鋁、氮化鋁、氮化硅以及氧化鋯的絕緣粒子；氧化鈦。

技術領域

本發明涉及用于檢測電流的電阻材料、電阻器以及電阻材料的制造方法。

背景技術

在日本特開JP2012-001402A中，公開了將基體材料的粒子和金屬材料的粒子混合并燒結后獲得的電阻材料。

發明內容

由于在上述電阻材料中，使用了具有絕緣性的粒子以作為基體材料，因此，雖然能夠增大電阻率，但是，難以將由溫度變化產生的電阻值的變動降低至期望的設計范圍。

本發明著眼于上述問題而作，其目的在于，提供一種能夠使電阻率增大并且控制電阻值的變動的電阻材料、電阻器以及電阻材料的制造方法。

根據本發明的某一方式，用于檢測電流的電阻材料包括：選自鎳鉻、銅錳以及銅鎳的金屬粒子；選自氧化鋁、氮化鋁、氮化硅以及氧化鋯的絕緣粒子；氧化鈦。

根據該方式，由于在電阻材料中分散了氧化鈦，因此，關于電阻材料，能夠使電阻率增大并且控制電阻值的變動。

附圖說明

圖1為表示本發明的實施方式中的電阻器的結構例的圖。

圖2為沿著圖1的II-II線的剖視圖。

圖3為表示電阻器的制造方法的一示例的圖。

圖4為表示電阻器的制造方法的另一示例的圖。

圖5為表示實施例中的具有氧化鈦的樣品的結構的圖。

圖6為表示比較例中的具有氧化錫的樣品的結構的圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明的實施方式進行說明。

[電阻器的說明]

首先，參照圖1至圖2，對本實施方式的電阻器1的結構進行說明。

圖1為表示本實施方式中的電阻器1的結構的立體圖，圖2為沿著圖1的II-II線的電阻器1的剖視圖。

電阻器1為用于檢測電流的電阻器，被稱為電流檢測用電阻器、或者分流電阻器(shunt resistor)。電阻器1例如被搭載于電源模塊并被用于大電流的檢測用途。

在本實施方式中，為了提高對高頻的電流進行檢測的檢測精度，以電阻器1的自感值變小的方式而使電阻器1被較薄地形成。電阻器1被扁平地形成為圓板狀，并具備由電阻材料構成的電阻體11、和夾著電阻體11的兩個電極21以及22。

電阻體11的厚度t₁以電阻器1的自感值變小的方式而被設定為例如幾mm(毫米)以下。在本實施方式中，電阻體11的厚度t₁被設定為0.2mm。另外，為了容易進行向配線圖案的安裝或者向電源半導體的安裝，電阻體11的直徑r與電阻體11的厚度t₁相比被形成得較大。例如，電阻體11的直徑r被設定為幾mm。在本實施方式中，電阻體11的直徑r被設定為3mm。

在本實施方式中，在電阻體11的厚度方向、即一方的電極21以及另一方的電極22間的方向上形成電流路徑。由于該電流路徑與一般的分流電阻器的電流路徑相比較短，因此，電阻體11的電阻率(體積電阻值)被要求設計為與在一般的分流電阻器中所使用的合金單體的電阻率相比較大的值。

例如，在電阻器1被用于大電流的檢測用途的情況下，假設電阻體11的電阻值被設定為50μΩ以上且1000μΩ以下的范圍內的值。因此，作為構成電阻體11的電阻材料，能夠將電阻率(體積電阻值)控制在200μΩ·cm(微歐厘米)以上、且300000μΩ·cm以下的范圍內的電阻材料是優選的。