[發明專利]具有目標熱膨脹系數的用于扇出型封裝的玻璃載體及其制造方法

在審

• 申請號: 202080019273.4
• 申請日: 2020-02-24
• 公開（公告）號: CN113544101A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: H·D·伯克;T·M·格羅斯;金榛洙;J·科爾;H·C·陸;肖宇;張麗英;張魯
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: C03C3/091
• 分類號: C03C3/091;C03B23/203;C03C3/093;B32B17/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張璐;王穎

制造具有在溫度范圍內平均的目標有效熱膨脹系數CTE_Teff的玻璃制品的方法包括：選擇玻璃芯體組合物和玻璃包覆組合物，所選擇的玻璃芯體組合物具有大于目標有效CTE_Teff的平均芯體玻璃熱膨脹系數CTE_芯體，所選擇的玻璃包覆組合物具有小于目標有效CTE_Teff的平均包覆玻璃熱膨脹系數CTE_包覆；制造玻璃層壓件，其包括由玻璃芯體組合物形成的玻璃芯體層和熔合到玻璃芯體層的兩個或更多個玻璃包覆層，兩個或更多個玻璃包覆層中的每一個由玻璃包覆組合物形成，使得玻璃芯體層的厚度與兩個或更多個玻璃包覆層的總厚度的比值被選擇，使得產生的玻璃層壓件的有效熱膨脹系數CTE_eff與目標有效CTE_Teff相差在±0.5ppm/℃以內。

相關申請的交叉引用

本申請根據35U.S.C.§119要求2019年3月7日提交的系列號為62/815129的美國臨時申請的優先權權益，本文以該申請的內容為基礎并將其通過引用全文納入本文。

技術領域

本公開涉及用作具有目標熱膨脹系數的扇出型封裝的玻璃載體及其制造方法。

背景技術

玻璃制品用于各種行業，包括半導體封裝行業。在半導體封裝行業中，芯片被放置在載體基材(例如玻璃板)上進行處理，其中可能包括熱機械和光刻步驟。然而，制造商之間的處理技術可能不同，導致不同制造技術具有不同載體要求，進而導致制造滿足不同制造商的所有要求的單一載體基材設計的困難。

通常，由于與玻璃相比金屬的機械可靠性增加，所以已經使用金屬載體基材。然而，合適的金屬通常比玻璃重，缺乏紫外透明度，難以滿足嚴格的總厚度變化要求，并且缺乏使用玻璃可以實現的扇出工藝所需的熱膨脹系數(CTE)范圍。

因此，需要用于半導體制造的替代玻璃載體及其制造方法。

發明內容

根據第一方面，用于制造具有在溫度范圍內平均的目標有效熱膨脹系數CTE_Teff的玻璃制品的方法包括：選擇玻璃芯體組合物和玻璃包覆組合物，所選擇的玻璃芯體組合物具有在溫度范圍內大于目標有效CTE_Teff的平均芯體玻璃熱膨脹系數CTE_芯體，所選擇的玻璃包覆組合物具有在溫度范圍內小于目標有效CTE_Teff的平均包覆玻璃熱膨脹系數CTE_包覆；制造玻璃層壓件，其包括由玻璃芯體組合物形成的玻璃芯體層和熔合到玻璃芯體層的兩個或更多個玻璃包覆層，兩個或更多個玻璃包覆層中的每一個由玻璃包覆組合物形成，使得對玻璃芯體層的厚度與兩個或更多個玻璃包覆層的總厚度的比值進行選擇，以使產生的玻璃層壓件在溫度范圍內的有效熱膨脹系數CTE_eff與目標有效CTE_Teff相差在±0.5ppm/℃以內。

根據第二方面，一種方法包括第一方面的方法，其中，玻璃芯體層和兩個或更多個玻璃包覆層中的每一個包括大于50GPa的楊氏模量。

根據第三方面，一種方法包括第一或第二方面的方法，其中，兩個或更多個玻璃包覆層各自具有大于80MPa的殘余壓縮應力。

根據第四方面，一種方法包括前述方面中任一方面的方法，其中，對于0.3mm至2mm的總基材厚度，在300nm至400nm的波長范圍內，玻璃層壓件具有大于60％的光學透射率。

根據第五方面，一種方法包括前述方面中任一方面的方法，其中，對于0.3mm至2mm的總基材厚度，在250nm至300nm的波長范圍內，玻璃層壓件具有大于20％的光學透射率。

根據第六方面，一種方法包括前述方面中任一方面的方法，其中，玻璃層壓件在溫度范圍內具有的有效熱膨脹系數CTE_eff與目標有效CTE_Teff相差在±0.2ppm/℃以內。