[發明專利]固態攝像裝置和電子設備

有效

• 申請號: 202080018823.0
• 申請日: 2020-03-16
• 公開（公告）號: CN113519068B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 川原雄基
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L31/107
• 分類號: H01L31/107;H01L31/10;H01L27/146;H04N25/70
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 姚鵬;曹正建

1.一種固態攝像裝置，所述固態攝像裝置包括：

第一半導體基板，所述第一半導體基板包括設置在第一表面中的格子狀的第一溝槽和沿著所述第一溝槽的底部設置的第二溝槽；以及

多個光電轉換元件，所述多個光電轉換元件設置在所述第一半導體基板中，

其中每個所述光電轉換元件包括：

光電轉換區域，所述光電轉換區域設置在所述第一半導體基板中的由所述第一溝槽和所述第二溝槽限定的元件區域中，并被構造為光電轉換入射光以產生電荷；

第一半導體區域，所述第一半導體區域在所述元件區域內圍繞所述光電轉換區域；

第一接觸部，所述第一接觸部在所述第一溝槽的底部與所述第一半導體區域接觸；

第一電極，所述第一電極在所述第一溝槽中與所述第一接觸部接觸；

第二半導體區域，所述第二半導體區域設置在所述元件區域的與所述第一半導體區域接觸的區域中，并具有與所述第一半導體區域相同的第一導電型；

第三半導體區域，所述第三半導體區域是所述元件區域中的與所述第二半導體區域接觸的區域，并設置在所述第二半導體區域與所述第一表面之間，且具有與所述第一導電型相反的第二導電型；

第二接觸部，所述第二接觸部設置在所述第一表面上以與所述第三半導體區域接觸；以及

第二電極，所述第二電極與所述第二接觸部接觸，并且

所述第一接觸部距所述第一表面的高度不同于所述第三半導體區域距所述第一表面的高度。

2.根據權利要求1所述的固態攝像裝置，其中，所述第一接觸部距所述第一表面的所述高度大于所述第三半導體區域距所述第一表面的所述高度。

3.根據權利要求1所述的固態攝像裝置，其中，所述第一接觸部與所述第一電極形成歐姆接觸。

4.根據權利要求3所述的固態攝像裝置，還包括硅化物層，所述硅化物層設置在所述第一接觸部與所述第一電極接觸的部分處。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的固態攝像裝置，其中，所述第一接觸部與所述第一半導體區域接觸以包圍所述第一半導體區域的外周。

6.根據權利要求1至4中任一項所述的固態攝像裝置，其中，所述第一接觸部在所述第一半導體區域的外周的一部分處與所述第一半導體區域接觸。

7.根據權利要求1至4中任一項所述的固態攝像裝置，還包括設置在所述第二溝槽中的遮光膜。

8.根據權利要求7所述的固態攝像裝置，其中，所述遮光膜與所述第一電極的材料相同。

9.根據權利要求7所述的固態攝像裝置，其中，所述遮光膜與所述第一半導體區域接觸。

10.根據權利要求7所述的固態攝像裝置，還包括設置在所述遮光膜與所述第一半導體區域之間的絕緣膜。

11.根據權利要求7所述的固態攝像裝置，其中，

所述第二溝槽從所述第一溝槽的底面到達所述第一半導體基板的與所述第一表面相反的第二表面，并且

所述遮光膜從所述第一溝槽的所述底面到達所述第一半導體基板的所述第二表面。

12.根據權利要求7所述的固態攝像裝置，其中，

所述第二溝槽從所述第一溝槽的底部朝向所述第一半導體基板的位于所述第一表面相反側的第二表面設置，并且

所述第二溝槽的底部與所述第二表面彼此分離。

13.根據權利要求12所述的固態攝像裝置，還包括

第三接觸部，所述第三接觸部設置在所述第二溝槽的底部并且被構造為在所述第一半導體基板的所述第二表面側與所述第一半導體區域接觸，

其中，所述遮光膜在所述第二溝槽的所述底部處與所述第三接觸部接觸。