[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202080018058.2
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN113544824A
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發明（設計）人: 兒玉奈緒子;洼內源宜
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L27/07
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 周春燕;金玉蘭

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，在半導體基板的正面形成預定的元件結構；

第二工序，在所述半導體基板的正面形成保護所述元件結構的保護膜；

第三工序，在所述半導體基板的正面，在所述保護膜的開口部從所述保護膜離開預定距離而形成材料膜的預定圖案；

第四工序，在所述半導體基板的正面形成覆蓋所述保護膜和所述材料膜且開設有雜質缺陷的導入區域的抗蝕劑膜；以及

第五工序，將所述抗蝕劑膜作為掩模而向所述半導體基板的內部導入所述雜質缺陷，

在所述第三工序中，至少在距所述保護膜小于1mm的所述預定距離形成至少一個所述材料膜。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

存在多個所述材料膜，

在所述第三工序中，以小于1mm的間隔配置多個所述材料膜。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，利用所述抗蝕劑膜完全覆蓋所述材料膜。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第四工序中，將從所述材料膜到覆蓋該材料膜的所述抗蝕劑膜的端部為止的距離設為20μm以上且小于1mm。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，以所述保護膜的高度的一半以上且與所述保護膜的高度相同的高度以下的高度而形成所述材料膜。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第三工序中，形成沿與所述半導體基板的正面平行的方向延伸為直線狀的所述材料膜。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述第三工序與所述第二工序同時進行，并且利用與所述保護膜相同的材料形成所述材料膜。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述保護膜是聚酰亞胺膜。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第一工序中，作為所述元件結構，在所述半導體基板的有源區的第一區域形成絕緣柵雙極型晶體管，并且在所述有源區的除所述第一區域以外的第二區域形成與所述絕緣柵雙極型晶體管反向并聯的二極管，

在所述第二工序中，形成在所述開口部露出所述有源區的所述保護膜，

在所述第三工序中，在所述保護膜的所述開口部，在所述第一區域形成所述材料膜的預定圖案，

在所述第五工序中，將所述抗蝕劑膜作為掩模而向所述第二區域的整個區域導入所述雜質缺陷。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在所述第五工序中，將所述抗蝕劑膜作為掩模而向所述第一區域的與所述第二區域的邊界附近導入所述雜質缺陷。

11.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

預定的元件結構，其設置在半導體基板的正面；

絕緣柵雙極型晶體管，其作為所述元件結構而設置在所述半導體基板的有源區的第一區域；

二極管，其作為所述元件結構而設置在所述有源區的除所述第一區域以外的第二區域，并且與所述絕緣柵雙極型晶體管反向并聯；

保護膜，其設置在所述半導體基板的正面，具有露出所述有源區的開口部，并且保護所述元件結構；

至少一個材料膜，其在所述保護膜的所述開口部，在所述第一區域從所述保護膜離開預定距離而設置為預定圖案；以及

低載流子壽命區，其設置在所述第二區域的整個區域，通過導入雜質缺陷而使載流子壽命變短，

所述材料膜至少被配置在距所述保護膜小于1mm的所述預定距離。