[發(fā)明專(zhuān)利]四極裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202080015002.1
• 申請(qǐng)日: 2020-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113454753A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 大衛(wèi)·J.·蘭格里奇;馬丁·雷蒙德·格林
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英國(guó)質(zhì)譜公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J49/42
• 分類(lèi)號(hào): H01J49/42
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋融冰

1.一種操作四極裝置的方法，所述方法包括：

使所述四極裝置在向所述四極裝置施加包括主驅(qū)動(dòng)電壓和至少一個(gè)輔驅(qū)動(dòng)電壓的重復(fù)電壓波形的操作模式下進(jìn)行操作；

使離子進(jìn)入所述四極裝置；以及

與所述重復(fù)電壓波形同步地改變進(jìn)入所述四極裝置的所述離子的強(qiáng)度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述重復(fù)電壓波形以第一周期Θ重復(fù)，并且其中改變進(jìn)入所述四極裝置的所述離子的強(qiáng)度包括以大約等于nΘ的第二周期基本上周期性地改變進(jìn)入所述四極裝置的所述離子的強(qiáng)度，其中n是正整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述重復(fù)電壓波形以第一周期Θ重復(fù)，所述主驅(qū)動(dòng)電壓以第三周期T重復(fù)，并且其中所述第一周期Θ大于所述第三周期T。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中改變進(jìn)入所述四極裝置的所述離子的強(qiáng)度包括將進(jìn)入所述四極的所述離子的強(qiáng)度改變?yōu)槭沟贸跏冀?jīng)歷所述重復(fù)電壓波形的第一相位范圍內(nèi)的某一相位的每單位相位離子的數(shù)量大于初始經(jīng)歷所述重復(fù)電壓波形的第二相位范圍內(nèi)的某一相位的每單位相位離子的數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第一相位范圍被選擇為使得初始經(jīng)歷所述第一相位范圍內(nèi)的某一相位的離子的最大振蕩振幅小于初始經(jīng)歷所述第二相位范圍內(nèi)的某一相位的離子的最大振蕩振幅。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其中所述第一相位范圍被選擇為使得初始經(jīng)歷所述第一相位范圍內(nèi)的某一相位的離子的傳輸率大于初始經(jīng)歷所述第二相位范圍內(nèi)的某一相位的離子的傳輸率。

7.根據(jù)權(quán)利要求4、5或6所述的方法，其中改變所述離子的強(qiáng)度包括將所述離子的強(qiáng)度改變?yōu)槭沟盟鲭x子的強(qiáng)度的最大值與所述第一相位范圍一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求4到7中任一項(xiàng)所述的方法，其中改變進(jìn)入所述四極裝置的所述離子的強(qiáng)度包括將所述離子脈沖到所述四極裝置中，使得所述離子中的基本上所有離子都初始經(jīng)歷所述重復(fù)電壓波形的所述第一相位范圍內(nèi)的某一相位。

9.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中改變進(jìn)入所述四極裝置的所述離子的強(qiáng)度包括以下中的至少一項(xiàng)：

(i)將離子捕獲在所述四極裝置上游的離子阱或離子導(dǎo)向器中，并且改變從所述離子阱或所述離子導(dǎo)向器中釋放的離子的強(qiáng)度；

(ii)從布置在所述四極裝置上游的離子阱或離子導(dǎo)向器中釋放具有所選質(zhì)荷比或處于所選質(zhì)荷比范圍內(nèi)的離子；

(iii)使所述四極裝置上游的至少一些離子衰減，并且改變離子衰減的程度；

(iv)改變向所述四極裝置施加的DC電壓；

(v)在所述四極裝置上游形成離子包，并且使所述離子包進(jìn)入所述四極裝置；以及

(vi)使用脈沖離子源生成離子包，并且使所述離子包進(jìn)入所述四極裝置。

10.根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的方法，其中所述四極裝置包括四極濾質(zhì)器，并且所述方法包括使所述四極濾質(zhì)器在所述操作模式下進(jìn)行操作，使得離子根據(jù)所述離子的質(zhì)荷比得到選擇和/或過(guò)濾。

11.一種設(shè)備，其包括：

四極裝置；

一個(gè)或多個(gè)電壓源，所述一個(gè)或多個(gè)電壓源被配置成向所述四極裝置施加包括主驅(qū)動(dòng)電壓和至少一個(gè)輔驅(qū)動(dòng)電壓的重復(fù)電壓波形；以及

一個(gè)或多個(gè)裝置，所述一個(gè)或多個(gè)裝置被配置成使進(jìn)入所述四極裝置的離子的強(qiáng)度與所述重復(fù)電壓波形同步改變。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述重復(fù)電壓波形以第一周期Θ重復(fù)，并且其中所述一個(gè)或多個(gè)裝置被配置成使進(jìn)入所述四極裝置的離子的強(qiáng)度以大約等于nΘ的第二周期基本上周期性地改變，其中n是正整數(shù)。