[發明專利]基板處理裝置及基板處理方法在審
| 申請號: | 202080014920.2 | 申請日: | 2020-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN113490999A | 公開(公告)日: | 2021-10-08 |
| 發明(設計)人: | 高橋朋宏;武知圭;秋山剛志;佐佐木光敏 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蘊;杜嘉璐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其將基板浸漬于作為貯存于貯存部的處理液的貯存處理液,并進行上述基板的處理,
上述基板處理裝置的特征在于,具備:
氣泡供給部,其向上述貯存處理液供給氣泡;以及
液流生成部,其對上述氣泡供給部生成上述貯存處理液的液流。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述氣泡供給部具有氣體流動的第一管部,
在上述第一管部形成有配置于上述貯存處理液內的氣泡放出口,
上述氣泡放出口向上述貯存處理液內放出上述氣體的氣泡,
上述液流生成部在上述氣泡放出口的周邊生成上述液流。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
對上述第一管部中的形成有上述氣泡放出口的部分實施疏水處理。
4.根據權利要求2或3所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述液流生成部具有上述處理液流動的第二管部,
在上述第二管部形成有配置于上述貯存處理液內的處理液放出口,
上述處理液放出口通過向上述貯存處理液內放出在上述第二管部中流動的上述處理液而生成上述液流。
5.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
自上方觀察,上述處理液放出口配置于上述氣泡放出口的側方。
6.根據權利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述處理液放出口配置于上述氣泡放出口的下方。
7.根據權利要求2~6中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述氣泡放出口沿橫向開口。
8.根據權利要求2~6中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述第一管部具有:
內表面,其與上述第一管部的內部對置;以及
外表面,其與上述第一管部的外部對置,
上述氣泡放出口具有:
外側開口,其形成于上述外表面;以及
內側開口,其形成于上述內表面,且連通于上述外側開口,
上述外側開口的開口面積小于上述內側開口的開口面積。
9.一種基板處理裝置,其將基板浸漬于作為貯存于貯存部的處理液的貯存處理液,并進行上述基板的處理,
上述基板處理裝置的特征在于,
具備:
氣泡供給部,其向上述貯存處理液供給氣泡;以及
移動部,其使上述氣泡供給部相對于上述貯存部移動。
10.根據權利要求9所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述氣泡供給部具有氣體流動的第一管部,
在上述第一管部形成有配置于上述貯存處理液內的氣泡放出口,
上述氣泡放出口向上述貯存處理液內放出上述氣體的氣泡,
上述移動部使上述第一管部相對于上述貯存部移動。
11.根據權利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述移動部使上述第一管部振動。
12.根據權利要求1~11中任一項所述的基板處理裝置,其特征在于,
上述氣泡供給部包含聚醚醚酮。
13.一種基板處理方法,將基板浸漬于作為貯存于貯存部的處理液的貯存處理液,進行上述基板的處理,
上述基板處理方法的特征在于,
具備以下步驟:
將形成于管部的氣泡放出口配置于上述貯存處理液內;
在上述管部流動氣體;以及
賦予剪力,該剪力用于將上述氣體中的從上述氣泡放出口向上述貯存處理液內隆起的隆起部分從存在于上述管部的內部的上述氣體剪切。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





