[發(fā)明專利]半導(dǎo)體納米粒子及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080013342.0 | 申請日： | 2020-02-07 |
| 公開（公告）號： | CN113474291B | 公開（公告）日： | 2023-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鳥本司;龜山達(dá)矢;桑畑進(jìn);上松太郎;小谷松大祐 | 申請（專利權(quán)）人： | 國立大學(xué)法人東海國立大學(xué)機(jī)構(gòu);國立大學(xué)法人大阪大學(xué);日亞化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | C01G15/00 | 分類號： | C01G15/00;C09K11/08;C09K11/62;B82Y40/00;H01L33/50;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 納米 粒子 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體納米粒子的制造方法，包括：
準(zhǔn)備包含Ag鹽、含In和Ga中的至少一種的鹽、有機(jī)溶劑、和表面修飾劑的混合物，所述表面修飾劑為具有碳數(shù)4以上且20以下的烴基的含氮化合物、具有碳數(shù)4以上且20以下的烴基的含硫化合物；
將所述混合物升溫到120℃以上且300℃以下的范圍內(nèi)的溫度；
向被升溫的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子數(shù)相對于Ag的原子數(shù)之比的增加率成為10/分鐘以下的方式添加S的供給源。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，用15分鐘以上且60分鐘以下的時間來添加所述S的供給源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其中，所述S的供給源是硫或含硫化合物的溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其中，還包括：
在120℃以上且300℃以下的范圍內(nèi)的溫度下對添加S的供給源結(jié)束后的混合物進(jìn)行熱處理。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其中，所述混合物中的S的原子數(shù)相對于Ag的原子數(shù)之比的增加率為0.025/分鐘以上且0.19/分鐘以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其中，包括在S的供給源的添加后回收半導(dǎo)體納米粒子的工序，還包括將所回收的半導(dǎo)體納米粒子分散于鹵系溶劑中的工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制造方法，其中，還包括：
在半導(dǎo)體納米粒子的表面配置包含含有第13族元素和第15族元素的半導(dǎo)體的殼。
8.一種半導(dǎo)體納米粒子的制造方法，包括：
準(zhǔn)備包含Ag鹽、Cu鹽、含In和Ga中的至少一種的鹽、有機(jī)溶劑、和表面修飾劑的混合物，所述表面修飾劑為具有碳數(shù)4以上且20以下的烴基的含氮化合物、具有碳數(shù)4以上且20以下的烴基的含硫化合物；
將所述混合物升溫到120℃以上且300℃以下的范圍內(nèi)的溫度；
向被升溫的所述混合物中，按照所述混合物中的S的原子數(shù)相對于Ag和Cu的總原子數(shù)之比的增加率成為10/分鐘以下的方式添加S的供給源。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其中，
所述混合物中包含的Cu的原子數(shù)相對于Cu和Ag的總原子數(shù)之比為0.001以上且0.9以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，
所述混合物中包含的Cu和Ag的總原子數(shù)相對于In和Ga的總原子數(shù)之比為0.1以上且2以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，
用15分鐘以上且60分鐘以下的時間來添加所述S的供給源。
12.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，
所述S的供給源是硫或含硫化合物的溶液。
13.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，還包括：
在120℃以上且300℃以下的范圍內(nèi)的溫度下對添加S的供給源結(jié)束后的混合物進(jìn)行熱處理。
14.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，
所述混合物中的S的原子數(shù)相對于Ag的原子數(shù)之比的增加率為0.025/分鐘以上且0.19/分鐘以下。
15.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，
包括在S的供給源的添加后回收半導(dǎo)體納米粒子的工序，還包括將所回收的半導(dǎo)體納米粒子分散于鹵系溶劑中的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制造方法，其中，還包括：
在半導(dǎo)體納米粒子的表面配置包含含有第13族元素和第15族元素的半導(dǎo)體的殼。
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