[發(fā)明專利]用于等離子體納米天線光束移相器和轉(zhuǎn)向器的裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080012436.6
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN113383429A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設計）人: 安東諾·卡拉·萊西娜;皮埃爾·西蒙·約瑟夫·貝里尼;羅拉·拉蒙諾;多米尼克·約翰·古德威爾;艾瑞克·伯尼爾
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)加拿大有限公司;渥太華大學
• 主分類號: H01L31/02
• 分類號: H01L31/02;B82Y20/00;G01S7/481;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京龍雙利達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11329
• 代理人: 時林;肖鸝

1.一種像素，包括：

透明電絕緣體；

第一電導體，設置在所述透明電絕緣體上，所述第一電導體包括天線組件和連接器組件；

電絕緣體，設置在所述第一電導體上；

透明半導體，設置在所述電絕緣體上；以及

第二電導體，設置在所述透明半導體上；

其中，所述透明半導體足夠厚，以防止所述透明半導體與所述第二電導體之間的界面處發(fā)生等離子體共振。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素，其中，所述透明半導體足夠厚以防止在以下兩組界面之間發(fā)生聯(lián)合等離子體共振：

所述第一電導體、所述電絕緣體和所述透明半導體之間的第一組界面；和

所述透明半導體和所述第二電導體之間的第二組界面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像素，其中，所述第一電導體、所述電絕緣體和所述透明半導體經(jīng)入射光束激發(fā)后支持等離子體共振。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的像素，其中，所述第一電導體至少部分地嵌入所述電絕緣體中。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的像素，進一步包括所述透明半導體和所述第二電導體之間的第二電絕緣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的像素，其中，所述天線組件未延伸到所述像素的邊緣，且所述連接器組件與所述天線組件相交并延伸到所述像素的邊緣，以實現(xiàn)所述像素的外部連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的像素，其中，所述天線組件包括由間隙隔開的兩條線，所述兩條線的總長度短于所述像素的長度，且足夠短以至于未與相鄰交叉點的任何部分重疊，所述兩條線分別與延伸到所述像素的邊緣的對應連接器組件相交，以實現(xiàn)所述像素的外部連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的像素，其中，所述天線組件用作進行光輻射的天線以及恒定電勢的可變源。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的像素，其中，所述電絕緣體足夠薄，以改變所述天線組件的電場，進而改變所述透明半導體中的載流子密度分布。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的像素，其中，所述第二電導體用作接地平面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的像素，其中，當光輻射的光束入射到結(jié)構(gòu)上時，所述天線組件、所述電絕緣體和所述透明半導體維持等離子體共振或電共振。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素，其中，可以通過在所述天線組件和所述第二電導體之間施加電勢來改變所述等離子體共振的共振頻率。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的像素，其中，當光輻射的入射光束在共振層處透射或反射時，所述光輻射的入射光束的相位發(fā)生偏移，所述偏移被施加在所述天線組件和所述第二電導體之間的電勢所影響。

14.根據(jù)權(quán)利要求7至13中任一項所述的像素，其具有第一共振和第二共振，所述第一共振主要由所述天線的兩條線之間的間隙中的光電相互作用引起，所述第二共振由所述連接器組件之間的光電相互作用引起。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素，其中，所述第一共振和所述第二共振在不同波長處，且波長在所述第一共振和所述第二共振之間的光輻射的光束的反射率或透射率的大小不受施加在所述天線組件和所述第二電導體之間的電勢的顯著影響。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至15中任一項所述的像素，其中，所述第二電導體足夠薄，以至于在一定光波長范圍是透明的。