[發明專利]碳摻雜氧化硅的沉積

在審

• 申請號: 202080012410.1
• 申請日: 2020-02-04
• 公開（公告）號: CN113383108A
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 王美良;雷新建;H·錢德拉;M·R·麥克唐納
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455;C23C16/56;C23C16/44
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐志明

1.一種用于將碳摻雜氧化硅膜沉積到襯底上的方法，該方法包括以下步驟：

a)在反應器中提供襯底；

b)向所述反應器中引入至少一種選自式A至C的第一硅前體

其中R¹選自直鏈C₁至C₁₀烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₃至C₁₀雜環基、C₃至C₁₀烯基、C₃至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；R²選自氫、C₁至C₁₀直鏈烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₃至C₁₀雜環基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基，其中式A或B中的R¹和R²連接以形成環結構或不連接形成環結構；R^3-9各自獨立地選自氫、直鏈C₁至C₁₀烷基、支鏈C₃至C₁₀烷基、C₃至C₁₀環狀烷基、C₂至C₁₀烯基、C₂至C₁₀炔基和C₄至C₁₀芳基；R¹⁰選自直鏈C₁至C₁₀烷基、C₂至C₁₀烯基和C₂至C₁₀炔基；

c)用吹掃氣體吹掃所述反應器以除去未吸附在所述襯底上的任何所述至少一種第一硅前體的至少一部分；

d)將含氧源引入所述反應器中以與所述至少一種第一硅前體反應并形成氧化硅膜；

e)用吹掃氣體吹掃所述反應器以除去任何未反應的含氧源的至少一部分；

f)重復步驟b至e，直到沉積所需厚度的所述氧化硅膜；

g)用具有式R³_xSi(NR¹R²)_4-x的第二硅前體處理所述氧化硅膜以形成所述碳摻雜的氧化硅膜，其中R^1-3的定義如上，且x＝1、2或3；和

h)用吹掃氣體吹掃所述反應器以除去來自用所述第二硅前體處理所述氧化硅膜的任何副產物的至少一部分；

其中所述方法在約20℃至300℃范圍的一個或多個溫度下進行。

2.根據權利要求1所述的方法，其中R^1-2中的每一個是C₁至C₄烷基。

3.根據權利要求1所述的方法，其中R^1-3各自獨立地選自甲基和乙基。