[發明專利]單張生片的制造方法、氮化硅質燒結體的制造方法、單張生片及氮化硅質燒結體

在審

• 申請號: 202080011345.0
• 申請日: 2020-01-30
• 公開（公告）號: CN113508016A
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 湯淺晃正;江嶋善幸;渡邊龍平;小橋圣治;西村浩二
• 申請（專利權）人: 電化株式會社
• 主分類號: B28B11/14
• 分類號: B28B11/14
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 李國卿

本發明的單張生片的制造方法包括下述工序：搬運工序，將包含陶瓷而構成的帶狀生片沿其長度方向進行搬運；及照射工序，通過對被搬運的上述帶狀生片照射激光來切割上述帶狀生片而得到單張生片。

技術領域

本發明涉及單張生片的制造方法、氮化硅質燒結體的制造方法、單張生片及氮化硅質燒結體。

背景技術

作為功率模塊用的電路基板的基材，已知使用了陶瓷基板。另外，這樣的陶瓷基板以下述方式制造：將包含陶瓷而構成的帶狀生片切割，將切割得到的單張生片層疊，對層疊單張生片而成的層疊體進行燒結。

此處，專利文獻1公開了陶瓷制的層疊體的制造方法，其包括下述工序：切割工序，將陶瓷制的帶狀生片切割而得到多個單張生片；層疊工序，將經切割的多個單張生片進行層疊；和燒結工序，對經層疊的多個單張生片進行燒結。需要說明的是，上述的切割工序中，使用板狀的切割刀來切割帶狀生片來得到多個單張生片。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-065059號公報

發明內容

發明要解決的課題

如前文所述，就專利文獻1所公開的制造方法而言，在其切割工序中使用切割刀來切割帶狀生片。由此，該制造方法存在以下這樣的問題。即，存在下述情況：因使用切割刀的切割動作，從單張生片的切面產生切屑，因反復的切割動作，切割刀磨損而產生金屬粉。而且，若在產生的切屑、金屬粉附著于單張生片的表面的狀態下進行層疊工序，則單張生片上會產生凹凸不良。另外，使用切割刀來切割帶狀生片時，切割刀在其刀尖對帶狀生片進行加壓的同時進行移動。因此，由切割刀切割而形成的單張生片的切面在被切割刀的刀尖牽拉的同時形成。結果，有在單張生片上從切面附近產生裂紋的情況。

如上文那樣，產生凹凸不良、裂紋的結果是導致陶瓷基板的成品率降低這樣的問題。

本發明的目的在于提供在切割帶狀生片而得到單張生片的情況下不易產生來自切面的切屑及切面附近處的裂紋、且不會產生來自切割刀的金屬粉的單張生片的制造方法。

用于解決課題的手段

本發明的第1方式的單張生片的制造方法包括下述工序：搬運工序，將包含陶瓷而構成的帶狀生片沿其長度方向進行搬運；及照射工序，通過對被搬運的上述帶狀生片照射激光來切割上述帶狀生片而得到單張生片。

就本發明的第2方式的單張生片的制造方法而言，在第1方式的單張生片的制造方法中，上述照射工序中照射到上述帶狀生片的激光從照射二氧化碳激光的照射部照射。

就本發明的第3方式的單張生片的制造方法而言，在第1或第2方式的單張生片的制造方法中，包括通過刮刀成型或擠出成型將包含陶瓷粉末的漿料制成帶狀而得到上述帶狀生片的工序，該工序是在上述搬運工序之前進行的。

就本發明的第4方式的單張生片的制造方法而言，在第3方式的單張生片的制造方法中，上述陶瓷粉末包含氮化硅粉末或氮化鋁粉末。

就本發明的氮化硅質燒結體的制造方法而言，對由第1～第4方式中的任一方式的單張生片的制造方法制造的上述單張生片進行加熱并使其燒結而得到氮化硅質燒結體。

本發明的第1方式的單張生片的至少一個側面為激光切面。

就本發明的第2方式的單張生片而言，在第1方式的單張生片中，上述激光切面的表面粗糙度Ra為0.5μm以上、2.0μm以下，上述激光切面的表面粗糙度Rz為5.0μm以上、12.0μm以下。

本發明的氮化硅質燒結體為片狀，端面的表面粗糙度Ra為0.5μm以上、2.0μm以下，上述端面的表面粗糙度Rz為5.0μm以上、12.0μm以下。

發明的效果