[發明專利]金屬納米結構的純化

在審

• 申請號: 202080011117.3
• 申請日: 2020-04-01
• 公開（公告）號: CN113365762A
• 公開（公告）日: 2021-09-07
• 發明（設計）人: 宜安·史托姆斯·穆迪;朱雷澤;山繆·路馬漢·羅賓洛斯
• 申請（專利權）人: 英屬維京群島商天材創新材料科技股份有限公司
• 主分類號: B22F1/00
• 分類號: B22F1/00;B22F9/24;B82Y40/00;B01D21/01
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 王玉雙;張燕華

一種包含金屬納米結構的組成物的純化方法。該方法包含將該組成物和可與水互溶的聚合物混合以形成組合物，該組合物促使在該組合物中該金屬納米結構的粘聚超過在該組合物中低縱橫比的納米結構的粘聚。該方法包含使該組合物進行沉降制程以形成沉降物層，該沉降物層中的該金屬納米結構的濃度是大于該組合物中該金屬納米結構的先前濃度。

相關申請

本申請案主張標題為“金屬納米結構的純化(METAL NANOSTRUCTUREPURIFICATION)”并于2019年4月3日提出的美國臨時申請案序號62/828,613的優先權，其并于此以供參考。

技術領域

本發明是關于金屬納米結構的純化以及由該純化的金屬納米結構制成的透明導體。

背景技術

透明導體包含光學透明且導電的膜。銀納米線(AgNW)是納米結構的實例。如今AgNW的應用實例之一是在電子裝置諸如觸控面板、光伏打電池、平面液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)、穿戴式裝置等之中形成透明導體(TC)層。通常，各種不同技術已基于一或多種導電媒介諸如導電納米結構制造TC。通常，導電納米結構透過長范圍的交互相連形成導電網絡。

隨著利用透明導體的應用次數持續增加，需要改良制造方法以滿足對導電納米結構的需求。傳統的純化技術企圖透過沉降以降低非所欲的污染物的含量。然而，因為適合分離導電納米結構與非所欲污染物所需的長的沉降時間所致的有限的沉降產率，傳統沉降技術對于比實驗級規模大者并不適合。

發明內容

根據一方案，提供一種純化包含金屬納米結構的組成物的方法。該方法包含將該組成物和可與水互溶的聚合物混合以形成組合物，該組合物促使在該組合物中的金屬納米結構的粘聚超過在該組合物中的低縱橫比的納米結構的粘聚。該方法包含使該組合物進行沉降制程以形成沉降物層，該沉降物層中的金屬納米結構的濃度是大于該組合物中的金屬納米結構的先前濃度。

以上概述呈現一種簡要摘述以提供對于本文所述的系統及/或方法的一些方案的基本理解。此概述并非本文所討論的系統及/或方法的綜覽。其并非旨在指出關鍵/重要元件或描述這些系統及/或方法的范圍。其唯一目的是要以簡化方式呈現一些觀念作為下文呈現的更詳細說明的前言。

附圖說明

雖然在此所呈現的技術可以各種替代形式實施，在附圖中所描繪的特定實施態樣僅為補充本文所提供的說明的幾個實例。這些實施態樣不應被理解為限制性的，例如限制所附權利要求書。

所揭示的標的針對特定部件及部件的安排可采取實體形式，其實施態樣將詳細描述于本說明書以及描繪于構成說明書的一部分的所附附圖中，其中：

圖1是描寫根據本發明的聚合物輔助型沉降的方法的實例的流程圖，該方法用于純化包含金屬納米線以及低縱橫比的納米結構的混合物。

具體實施方式

以下參照所附附圖更完整地說明本發明標的，附圖形成本說明書的一部分且說明性地顯示特定例示實施態樣。本說明書無意作為已知觀念的廣泛或詳細的討論。對于相關領域中具通常知識者所普遍已知的細節可以被省略，或可用摘述方式來處理。

本文中的特定用語僅是基于方便而使用，且不應被視為所揭示的標的的限制。本文所用的相關文字最佳是參照附圖來理解，其中類似的元件符號是用于指出類似或相似的項目。再者，在附圖中，某些特征可用稍微概略的方式示出。

以下標的可以各種不同形式實施，例如方法、裝置、元件、及/或系統。因此，該標的無意被認為是受限于本文所列的作為實例的任何說明性實施態樣。當然，本文中提供實施態樣僅供說明之用。