[發明專利]多晶硅塊狀物、其包裝體及其制造方法在審
| 申請號： | 202080010371.1 | 申請日： | 2020-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN113348149A | 公開（公告）日： | 2021-09-03 |
| 發明（設計）人： | 崎田學 | 申請（專利權）人： | 株式會社德山 |
| 主分類號： | C01B33/02 | 分類號： | C01B33/02;C01B33/035;B65D81/18 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 塊狀 包裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種多晶硅塊狀物包裝體，其特征在于，
所述多晶硅塊狀物包裝體是表面金屬濃度為1000pptw以下的多晶硅塊狀物填充于樹脂袋中的包裝體，存在于所述包裝體內部的硝酸根離子量為相對于將包裝體放置在25℃、1大氣壓下時所形成的多晶硅塊狀物的填充空隙成為50μg/L以下的量。
2.根據權利要求1所述的多晶硅塊狀物包裝體，其中，
存在于包裝體內部的氟離子量為相對于將包裝體放置在25℃、1大氣壓下時所形成的多晶硅塊狀物的填充空隙成為50μg/L以下的量。
3.根據權利要求1所述的多晶硅塊狀物包裝體，其是將表面金屬濃度為1000pptw以下、且表面硝酸根離子量為1.0×10－4μg/mm2以下的多晶硅塊狀物填充于樹脂袋中而成的。
4.根據權利要求3所述的多晶硅塊狀物包裝體，其中，
存在于多晶硅塊狀物的塊表面的氟離子量為1.0×10－4μg/mm2以下。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的多晶硅塊狀物包裝體，其中，
填充有多晶硅塊狀物的樹脂袋的填充空隙率為40％～70％。
6.一種多晶硅塊狀物，其表面金屬濃度為1000pptw以下，且表面硝酸根離子量為1.0×10－4μg/mm2以下。
7.根據權利要求6所述的多晶硅塊狀物，其中，
進一步地，表面氟離子量為1.0×10－4μg/mm2以下。
8.一種多晶硅塊狀物的制造方法，其特征在于，
所述制造方法是制造權利要求6所述的多晶硅塊狀物的方法，
其中，將利用氫氟酸硝酸水溶液進行了酸洗的多晶硅塊狀物清洗體在100℃以上的加熱溫度下干燥。
9.一種多晶硅塊狀物包裝體的制造方法，其特征在于，
所述制造方法是制造權利要求1所述的多晶硅塊狀物包裝體的方法，
其中，在將由權利要求8所述的方法得到的多晶硅塊狀物包裝于樹脂袋中時，以存在于包裝體內部的硝酸根離子量相對于將包裝體放置在25℃、1大氣壓下時所形成的多晶硅塊狀物的填充空隙成為50μg/L以下的填充量填塞。
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