[發明專利]熱等離子體處理設備

在審

• 申請號: 202080010102.5
• 申請日: 2020-01-20
• 公開（公告）號: CN113330824A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 樸賢宇;金友一;李啟光;趙壬浚
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H05H1/34
• 分類號: H05H1/34;H05H1/28
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種熱等離子體處理設備，所述熱等離子體處理設備包括：

炬部，其中在負極和正極之間產生電弧，并且其中在所述負極和所述正極之間注入將被所述電弧熱分解的處理氣體；

電源部，其被配置為連接到所述負極和所述正極，并在所述負極和所述正極之間施加高電壓；以及

反應部，其被配置為與所述炬部連通并在經過所述炬部的所述處理氣體中產生湍流。

2.根據權利要求1所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述炬部包括：

位于所述炬部的中心的負極；

圓柱型的第一正極，其被配置為圍繞所述負極，并在所述第一正極的中心具有第一孔；以及

圓柱型的第二正極，其被配置為與所述第一正極的下側間隔開，并在所述第二正極的中心具有與所述第一孔連通的第二孔。

3.根據權利要求2所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述炬部包括：

軸型負極殼體，其中所述負極安裝在最下端處，并且其中在所述負極殼體的中心處設置冷卻流路徑；

圓柱型的第一正極殼體，其被配置為安裝為圍繞所述第一正極，并具有與設置在所述第一正極的外周面上的冷卻流路徑連通的供應路徑；以及

圓柱型的第二正極殼體，其被配置為安裝為圍繞所述第二正極，并在所述第二正極和所述第二正極殼體之間具有冷卻流路徑。

4.根據權利要求3所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述炬部還包括：

第一放電氣體注入部，其被配置為設置在所述第一正極的上方，以在旋轉方向上將放電氣體注入所述第一放電氣體注入部的內部，并將所述放電氣體供應到所述第一孔的上部；

處理氣體注入部，其被配置為設置用于圍繞所述第一正極殼體，在旋轉方向上將待處理的處理氣體注入所述處理氣體注入部的內部，并將所述處理氣體供應到所述第二孔的上部；以及

第二放電氣體注入部，其被配置為設置在所述處理氣體注入部和所述第二正極之間，以在旋轉方向上將所述放電氣體注入所述第二放電氣體注入部的內部，并將所述放電氣體供應到所述第二孔的上部，并且

其中，所述第一放電氣體注入部和所述第二放電氣體注入部以及所述處理氣體注入部被配置為在相同的旋轉方向上注入放電氣體和處理氣體。

5.根據權利要求4所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述第一放電氣體注入部包括：

第一主體部，其被配置為具有與所述第一孔連通的圓柱形狀并在徑向方向上具有預定厚度；以及

多個第一放電氣體注入口，其被配置為穿過所述第一主體部的內周面/外周面，并在相對于所述第一主體部的內周面的切向方向上注入所述放電氣體。

6.根據權利要求4所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述處理氣體注入部包括：

圓柱形主體部，其被配置為圍繞所述第一正極和所述第一放電氣體注入部并與所述第二孔連通；以及

多個注入管，其被配置為與所述主體部的內部連通，并在相對于所述主體部的內周面的切向方向上注入所述處理氣體。

7.根據權利要求4所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述第二放電氣體注入部包括：

第二主體部，其被配置為具有與所述第二孔連通的圓柱形狀并在徑向方向上具有預定厚度；

多個第二放電氣體注入口，其被配置為穿過所述第二主體部的內周面/外周面，并在相對于所述第二主體部的內周面的切向方向上注入所述放電氣體；以及

環形第二放電氣體輔助注入口，其被配置為在所述第二放電氣體注入口外部彼此連通。

8.根據權利要求4所述的熱等離子體處理設備，

其中，所述炬部還包括：

第三放電氣體注入部，其被配置為設置在所述第二正極殼體的下端和所述第二正極處，以在旋轉方向上將所述放電氣體注入內側，并將所述放電氣體供應到所述第二孔的下部。