[發明專利]開關裝置

在審

• 申請號: 202080010069.6
• 申請日: 2020-03-10
• 公開（公告）號: CN113330632A
• 公開（公告）日: 2021-08-31
• 發明（設計）人: 上道雄介
• 申請（專利權）人: 株式會社藤倉
• 主分類號: H01P1/12
• 分類號: H01P1/12;H01P1/208;H01P7/06;H01P3/12
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王培超;盧英日

提供能夠在毫米波段下使用的開關裝置，且能夠兼得低損失和高隔離特性的開關裝置。開關裝置(1)具備：在寬壁(導體層2)形成有開口(AP1～AP5)的柱壁波導(濾波器主體1M)、封堵開口(AP1～AP5)的部分由具有導電性的材料構成的罩(5)、以及切換通過罩(5)封堵開口(AP1～AP5)的第一狀態與開放開口(AP1～AP5)的第二狀態的罩控制機構(促動器6)。

技術領域

本發明涉及包含對電磁波進行導波的柱壁波導，并且切換對該電磁波進行導波的第一狀態與不對該電磁波進行導波的第二狀態的開關裝置。

背景技術

在非專利文獻1～3中記載有能夠在毫米波波段(以下稱為毫米波段)利用的開關裝置。

非專利文獻1中言及MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit)的一部分所包含的開關裝置。非專利文獻1中記載的產品名為「SP4T」的開關裝置在59.2GHz以上且60.1GHz以下的波段中，損失和隔離(isolation)分別是2.8dB和16.7dB。該2.8dB這樣的損失是比較大的損失，存在抑制的余地。

非專利文獻2中記載有使用PIN二極管構成的開關裝置，該開關裝置能夠在毫波波段使用。使用PIN二極管構成的開關裝置難以提高毫米波段的隔離特性。在使用PIN二極管構成的典型的開關裝置中，在50GHz帶隔離不足10dB。

另外，作為為了構成所述的開關裝置而能夠使用的PIN二極管，能夠舉出非專利文獻3中記載的PIN二極管。

非專利文獻1：“國內首個，面向毫波通信系統的實現，將需要的半導體電路全部MMIC化開發毫波收發信號模塊用GaAs MMIC芯片組”，[在線]，2009年2月25日，[2018年12月5日檢索]，互聯網＜URL:http://mitsubishielectric.co.jp/news-data/2009/pdf/0225.pdf＞

非專利文獻2：“THE PIN DIODE CIRCUIT DESIGNERS’HANDBOOK”，[在線]，1998，[2018年12月5日檢索]，互聯網＜URL:https://www.ieee.li/pdf/essay/pin_diode_handbook.pdf#search＝％27THE+PIN+DIODE+CIRCUIT+DESIGNERS％E2％80％99％27＞

非專利文獻3:“MA4AGP907 MA4AGFCP910 AlGaAs Flip Chip PIN Diodes”，[2018年12月5日檢索]，互聯網＜URL:https://cdn.macom.com/datasheets/MA4AGP907_FCP910.pdf#search＝％27MA4AGFCP910％27＞

然而，如上所述，非專利文獻1中記載的MMIC的一部分所包含的開關裝置存在損失大(2.8dB)的課題，使用非專利文獻2中記載的PIN二極管構成的開關裝置存在毫米波段的隔離低(不足10dB)的課題。

發明內容

本發明是鑒于上述的課題而完成的，其目的在于提供能夠在毫米波段下使用的開關裝置，且能夠兼得低損失和高隔離特性的開關裝置。

為了解決所述的課題，本發明的一方式的開關裝置具備：柱壁波導，該柱壁波導具備電介質基板、分別形成于所述電介質基板的第一主面和第二主面的一對寬壁即第一導體層和第二導體層、以及由導體柱構成的柱壁，該導體柱組由貫通所述電介質基板并且使所述第一導體層與所述第二導體層導通的多個導體柱配置為柵欄狀而成，所述柱壁波導的導波區域由被所述第一導體層、所述第二導體層、以及所述柱壁圍起的所述電介質基板構成；開口，其在所述寬壁至少形成有一個；罩，該罩的封堵所述開口的部分由具有導電性的材料構成；以及罩控制機構，其以切換所有的所述開口被所述罩封堵的第一狀態與所有的所述開口被開放的第二狀態的方式控制所述罩的位置。