[發(fā)明專利]二氧化鈦糊、多孔半導體電極基板、光電極以及染料敏化型太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202080005945.6 | 申請日： | 2020-01-27 |
| 公開（公告）號： | CN113015701B | 公開（公告）日： | 2023-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 清水基尋 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本瑞翁株式會社 |
| 主分類號： | C01G23/047 | 分類號： | C01G23/047;H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 楊衛(wèi)萍;劉繼富 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 多孔 半導體 電極 以及 染料 敏化型 太陽能電池 | ||
1.一種二氧化鈦糊，其包含二氧化鈦納米顆粒和水，所述二氧化鈦糊的pH為2.6以上且3.5以下，通過所述二氧化鈦納米顆粒的質(zhì)量基準計的粒度分布測定所得到的表示頻率分布的曲線具有至少兩個峰，
所述至少兩個峰包括微粒峰和粗粒峰，所述微粒峰在粒徑10nm以上且40nm以下的范圍具有峰頂，所述粗粒峰在粒徑60nm以上且200nm以下的范圍具有峰頂，
所述峰頂?shù)念l率的比，即所述粗粒峰的峰頂?shù)念l率/所述微粒峰的峰頂?shù)念l率超過1/3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦糊，其固體成分濃度為45質(zhì)量%以上且55質(zhì)量%以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦糊，其中，所述二氧化鈦糊在25℃時的粘度為10Pa·s以上且24Pa·s以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二氧化鈦糊，其實質(zhì)上不含有粘結(jié)劑。
5.一種多孔半導體電極基板，其具有導電性基板和多孔半導體層，
所述多孔半導體層是通過在所述導電性基板上涂覆權(quán)利要求1至4中任一項所述的二氧化鈦糊、將該涂覆的二氧化鈦糊干燥形成的。
6.一種光電極，其具有權(quán)利要求5所述的多孔半導體電極基板以及染料或吸光材料，
所述染料或吸光材料吸附于所述多孔半導體電極基板的多孔半導體層。
7.一種染料敏化型太陽能電池，其具有權(quán)利要求5所述的多孔半導體電極基板。
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