[發(fā)明專利]具有支撐結構的三維存儲器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080003276.9
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112567517B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設計）人: 張中;韓玉輝;周文犀
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 楊錫勱;趙磊

1.一種三維(3D)存儲器件，包括：

襯底上的存儲堆疊體，其包括核心區(qū)域和與所述核心區(qū)域相鄰的非核心區(qū)域；以及

支撐結構，其延伸穿過所述非核心區(qū)域中的所述存儲堆疊體并且延伸到所述襯底中，其中

所述支撐結構包括第一支撐部分和在所述第一支撐部分上方的第二支撐部分，所述第一支撐部分具有比所述第二支撐部分高的剛度，其中，所述第一支撐部分由第一材料形成，所述第二支撐部分由第二材料形成，并且所述第一材料的剛度高于所述第二材料的剛度。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其中，所述第一材料包括多晶硅，并且所述第二材料包括氧化硅。

3.根據權利要求1或2所述的存儲器件，其中，

所述第一支撐部分位于所述支撐結構的下部，并且所述第二支撐部分位于所述支撐結構的上部；并且

所述第二支撐部分在所述支撐結構的所述第一支撐部分上。

4.根據權利要求1或2所述的存儲器件，其中，

所述第一支撐部分位于所述支撐結構的下部，并且所述第二支撐部分位于所述支撐結構的上部和所述下部；并且

所述支撐結構的所述第二支撐部分在所述支撐結構的所述第一支撐部分上并且橫向圍繞所述支撐結構的所述第一支撐部分。

5.根據權利要求1或2所述的存儲器件，其中，所述非核心區(qū)域包括與所述核心區(qū)域相鄰的階梯區(qū)域以及在所述核心區(qū)域與所述階梯區(qū)域之間的過渡區(qū)域。

6.根據權利要求5所述的存儲器件，其中，所述支撐結構位于所述過渡區(qū)域中。

7.根據權利要求6所述的存儲器件，還包括：在所述階梯區(qū)域中，在階梯結構中延伸的第二支撐結構，以及在所述階梯結構上方的絕緣結構，其中：

所述第二支撐結構包括第三支撐部分和在所述第三支撐部分上方的第四支撐部分，所述第三支撐部分具有比所述第四支撐部分高的剛度。

8.根據權利要求7所述的存儲器件，其中，所述第二支撐結構的所述第三支撐部分包括多晶硅，并且所述第二支撐結構的所述第四支撐部分包括氧化硅。

9.根據權利要求7或8所述的存儲器件，其中，

所述第三支撐部分位于所述第二支撐結構的下部，并且所述第四支撐部分位于所述第二支撐結構的上部；并且

所述第四支撐部分在所述第二支撐結構的所述第三支撐部分上。

10.根據權利要求7或8所述的存儲器件，其中，

所述第三支撐部分位于所述第二支撐結構的下部，并且所述第四支撐部分位于所述第二支撐結構的上部和所述下部；并且

所述第二支撐結構的所述第四支撐部分在所述第二支撐結構的所述第三支撐部分上并且橫向圍繞所述第二支撐結構的所述第三支撐部分。

11.根據權利要求5所述的存儲器件，其中，所述支撐結構位于所述階梯區(qū)域中的階梯結構中，并且位于所述階梯結構上方的絕緣結構中。

12.根據權利要求11所述的存儲器件，還包括在所述過渡區(qū)域中延伸的第二支撐結構，其中：

所述第二支撐結構包括第三支撐部分和在所述第三支撐部分上方的第四支撐部分，所述第三支撐部分具有比所述第四支撐部分高的剛度。

13.根據權利要求12所述的存儲器件，其中，所述第二支撐結構的所述第三支撐部分包括多晶硅，并且所述第二支撐結構的所述第四支撐部分包括氧化硅。

14.根據權利要求12或13所述的存儲器件，其中，

所述第三支撐部分位于所述第二支撐結構的下部，并且所述第四支撐部分位于所述第二支撐結構的上部；并且

所述第二支撐結構的所述第四支撐部分在所述第二支撐結構的所述第三支撐部分上。