[發明專利]用于減小3D交叉點存儲器陣列中的熱串擾的方法

在審

• 申請號: 202080002909.4
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112470283A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 劉峻
• 申請（專利權）人: 長江先進存儲產業創新中心有限責任公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 張文錦;劉茹

1.一種三維存儲器，包括：

第一存儲單元；

第二存儲單元；

電極，所述電極電連接所述第一存儲單元和所述第二存儲單元；

所述第一存儲單元與所述第二存儲單元之間的單元內空間；以及

第一層，所述第一層三維地、至少部分地包封所述第一存儲單元、所述第二存儲單元和所述電極；

被至少所述第一層三維地包圍的第一氣隙；以及

所述第一存儲單元和所述第二存儲單元被配置為在至少一個表面上被暴露。

2.根據權利要求1所述的三維存儲器，其中，所述第一層是使用化學氣相沉積方法來沉積的。

3.根據權利要求1所述的三維存儲器，其中，所述第一層是使用原子沉積方法來沉積的。

4.根據權利要求1所述的三維存儲器，還包括第二層，所述第二層至少部分地并且三維地包圍所述第一層。

5.根據權利要求4所述的三維存儲器，還包括至少一個額外層。

6.根據權利要求5所述的三維存儲器，其中，所述氣隙是真空。

7.根據權利要求5所述的三維存儲器，其中，所述第一層、所述第二層和所述至少一個額外層是由介電材料構成的。

8.根據權利要求7所述的三維存儲器，其中，所述介電材料是從包括以下各項的組中選擇的：氮化物層(NIT)、aC或電極層、相變材料、雙向閾值開關材料(OTS)、或鎢(W)納米多孔硅、氫硅酸鹽類(HSQ)、Teflon-AF(聚四氟乙烯或PTFE)、氟氧化硅(FSG)、鋯鈦酸鉛(PZT)、氮化硅、五氧化二鉭、氧化鋁、二氧化鋯、二氧化鉿、及其任意組合。

9.根據權利要求2所述的三維存儲器，其中，所述第一層和所述第二層是由不同材料構成的。

10.根據權利要求2所述的三維存儲器，其中，所述第一層和所述第二層是由介電材料構成的。

11.一種三維存儲器，包括：

存儲單元的頂部單元陣列；

存儲單元的底部單元陣列；

至少一個電極，所述至少一個電極電連接存儲單元的所述頂部陣列或存儲單元的所述底部陣列中的至少一個；以及

在所述存儲單元之間的存儲器內空間，其中存儲器內空間填充有多個層，所述多個層創建多個材料內界面；以及

氣隙，所述氣隙被所述多個層中的至少一個層三維地包圍。

12.根據權利要求11所述的三維存儲器，其中，所述氣隙被創建，存儲器內空間被部分地填充。

13.一種形成三維存儲器的方法，包括：

提供第一存儲單元；

提供第二存儲單元；

提供電極，所述電極電連接所述第一存儲單元和所述第二存儲單元；

創建第一層，所述第一層三維地包封所述第一存儲單元、所述第二存儲單元和所述電極；以及

創建氣隙，其中，所述氣隙被至少所述第一層三維地包圍；以及

使所述第一存儲單元和所述第二存儲單元在至少一個表面上暴露。

14.根據權利要求13所述的方法，還包括以下步驟：圖案化字線以創建多個柱單元。

15.根據權利要求14所述的方法，進一步其中，圖案化字線的步驟創建圍繞所述多個柱單元中的每個柱單元的多個氣隙。

16.根據權利要求15所述的方法，還包括：提供封裝層。

17.根據權利要求13所述的方法，還包括以下步驟：

創建第二層，所述第二層至少部分地并且三維地包圍所述第一層。