[發(fā)明專利]具有漏極選擇柵極切口的三維存儲器器件及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202080001346.7
• 申請日: 2020-06-12
• 公開（公告）號: CN111886696B
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 韓玉輝;周文犀;夏志良;趙利川
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11578
• 分類號: H01L27/11578;H01L27/11582
• 代理公司: 北京永新同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種3D存儲器器件，包括：

存儲器堆疊層，所述存儲器堆疊層包括垂直交錯的導(dǎo)電層和電介質(zhì)層；

多個存儲器串，所述多個存儲器串均垂直延伸穿過所述存儲器堆疊層，以及

柵縫隙（GLS），所述柵縫隙（GLS）在字線方向上橫向延伸，

其中，在俯視觀察時，所述多個存儲器串沿著垂直于所述柵縫隙（GLS）的方向被劃分為所述存儲器堆疊層的多個區(qū)域；

所述導(dǎo)電層包括多條漏極選擇柵極DSG線，所述多條漏極選擇柵極DSG線被配置為控制所述多個存儲器串的漏極；

所述DSG線的數(shù)量在所述多個區(qū)域之間不同；并且

所述多個存儲器串中的每一個具有標(biāo)稱相同的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的3D存儲器器件，還包括多個位線觸點(diǎn)，其中，所述多個存儲器串中的每一個與所述多個位線觸點(diǎn)中的相應(yīng)一個接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的3D存儲器器件，其中，所述多個存儲器串中的每一個在其一端處包括與相應(yīng)位線觸點(diǎn)接觸的溝道插塞。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的3D存儲器器件，其中，相同區(qū)域中的所述溝道插塞具有標(biāo)稱相同的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的3D存儲器器件，其中，所述溝道插塞的高度在所述多個區(qū)域之間標(biāo)稱地相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的3D存儲器器件，其中，所述溝道插塞的高度在所述多個區(qū)域之間不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的3D存儲器器件，其中，所述存儲器串的數(shù)量在所述多個區(qū)域之間是相同的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的3D存儲器器件，其中，所述DSG線包括所述導(dǎo)電層中的最外導(dǎo)電層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的3D存儲器器件，其中，所述DSG線具有不同的橫向尺寸。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的3D存儲器器件，其中，所述多個存儲器串垂直延伸穿過的所述DSG線的數(shù)量在所述多個區(qū)域之間不同。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的3D存儲器器件，其中，在俯視觀察時，所述多個區(qū)域是所述存儲器堆疊層的最小重復(fù)單位。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的3D存儲器器件，其中，所述存儲器串中的每一個鄰接所述DSG線中的至少一條。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的3D存儲器器件，其中，所述多個區(qū)域包括在所述字線方向上平行于所述柵縫隙（GLS）橫向延伸的DSG切口區(qū)域。

14.一種用于形成三維（3D）存儲器器件的方法，包括：

在襯底上方形成包括交錯的犧牲層和電介質(zhì)層的電介質(zhì)堆疊層；

移除所述犧牲層中的最上犧牲層的一部分；

同時形成第一存儲器串和第二存儲器串，所述第一存儲器串和所述第二存儲器串均具有標(biāo)稱相同的高度，其中，所述第一存儲器串垂直延伸穿過所述電介質(zhì)堆疊層的包括所述最上犧牲層的剩余部分的第一區(qū)域，并且所述第二存儲器串垂直延伸穿過所述電介質(zhì)堆疊層的沒有所述最上犧牲層的第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是沿著垂直于柵縫隙（GLS）的方向劃分的；

通過用導(dǎo)電層替換所述電介質(zhì)堆疊層的所述犧牲層來形成包括交錯的所述導(dǎo)電層和所述電介質(zhì)層的存儲器堆疊層，其中所述導(dǎo)電層包括多條漏極選擇柵極DSG線，所述DSG線的數(shù)量在所述第一區(qū)域與第二區(qū)域之間不同；以及

形成第一位線觸點(diǎn)和第二位線觸點(diǎn)，所述第一位線觸點(diǎn)和所述第二位線觸點(diǎn)分別在所述第一存儲器串和所述第二存儲器串上方并且分別與所述第一存儲器串和所述第二存儲器串接觸。