[發明專利]接觸焊盤結構及其形成方法

有效

• 申請號: 202080001288.8
• 申請日: 2020-06-05
• 公開（公告）號: CN111837224B
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 王迪;周文犀;夏志良;楊永剛;張坤;張豪;艾義明
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 北京永新同創知識產權代理有限公司 11376
• 代理人: 林錦輝;劉景峰

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括：

在半導體襯底之上形成交替的第一絕緣層和第一犧牲層的堆疊體；

在所述堆疊體中形成具有多個臺階的階梯，并且所述階梯的至少一個臺階包括所述第一絕緣層和布置在所述第一絕緣層之上的所述第一犧牲層；

在所述第一犧牲層之上形成第二犧牲層；以及

用形成接觸焊盤的導電材料代替所述第一犧牲層的一部分和所述第二犧牲層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第一犧牲層之上形成第二犧牲層之前，在所述第一犧牲層中形成凹陷。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述第一犧牲層之上形成第二犧牲層之前，對所述第一犧牲層的頂部部分執行化學處理。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述化學處理在所述第一犧牲層的頂部部分中斷開化學鍵并且形成懸空鍵，使得所述第二犧牲層擴散到所述第一犧牲層的經化學處理的頂部部分中并且沉積在所述第一犧牲層的所述經化學處理的頂部部分之上。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，用所述導電材料代替所述第一犧牲層的所述部分和所述第二犧牲層還包括：

去除所述第一犧牲層的提供到所述第二犧牲層的通路的一部分；

去除所述第二犧牲層；以及

將所述導電材料沉積到所去除的第一犧牲層和所去除的第二犧牲層的空間中。

6.根據權利要求5所述的方法，還包括：

執行第一濕法刻蝕工藝，所述第一濕法刻蝕工藝去除了所述第一犧牲層的所述部分；以及

執行第二濕法刻蝕工藝，所述第二濕法刻蝕工藝去除了所述第二犧牲層。

7.根據權利要求5所述的方法，其中：

至少防止所述第二犧牲層之下的所述第一犧牲層的剩余部分被去除，使得所述導電材料填充所去除的第二犧牲層的所述空間，以在所述第一犧牲層的所述剩余部分之上形成接觸焊盤。

8.根據權利要求7所述的方法，其中：

所述導電材料填充所去除的第一犧牲層的所述空間以形成導電層，所述導電層與所述接觸焊盤形成整體層，以及

所述接觸焊盤水平地處于所述臺階上，與所述第一犧牲層的所述剩余部分和所述導電層的一部分接觸。

9.根據權利要求5所述的方法，還包括形成與所述接觸焊盤導電連接的接觸結構。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

在所述堆疊體中至少形成溝道結構的陣列，所述接觸結構被配置為經由所述接觸焊盤向所述溝道結構的陣列提供控制信號。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，所述階梯在所述堆疊體的邊界上或在所述堆疊體的中間。

12.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二犧牲層的上表面在對應的臺階上方的相鄰的臺階的所述第一絕緣層的上表面和下表面之間。

13.一種半導體器件，包括：

形成在襯底之上并且具有多個臺階的階梯，并且所述臺階中的至少一個臺階包括第一絕緣層和布置在所述第一絕緣層之上的第二層，所述第二層包括絕緣部分和沿著水平方向與所述絕緣部分并排布置的導電部分，所述水平方向垂直于所述第一絕緣層和所述第二層的堆疊體的堆疊方向；以及

接觸焊盤，所述接觸焊盤布置在所述第二層的所述絕緣部分和所述導電部分之上。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述接觸焊盤可以由與所述第二層的所述導電部分相同的材料制成，并且與所述第二層的所述導電部分一體地形成。