[實用新型]紅外探測器

有效

• 申請號: 202023338997.1
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN213845284U
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 劉志方;楊曉杰
• 申請（專利權）人: 安徽光智科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/102;H01L31/18
• 代理公司: 北京五洲洋和知識產權代理事務所(普通合伙) 11387
• 代理人: 張向琨

1.一種紅外探測器，其特征在于，所述紅外探測器包括襯底(1)、外延層(2)、第一鈍化層(3)、第二鈍化層(4)、第一電極(5)、第二電極(6)以及讀出電路(7)；

所述外延層(2)設置于所述襯底(1)上，所述外延層(2)配置為被刻蝕形成探測器臺面(M)；所述第一鈍化層(3)設置于所述探測器臺面(M)的表面上；所述第二鈍化層(4)設置于所述第一鈍化層(3)上；

所述第一電極(5)和所述第二電極(6)設置于所述探測器臺面(M)的表面上，且所述第一電極(5)和所述第二電極(6)與所述讀出電路(7)連接。

2.根據權利要求1所述的紅外探測器，其特征在于，

所述探測器臺面(M)的表面包括臺面頂面(M1)、臺面側面(M2)和臺面底面(M3)；

覆蓋所述臺面底面(M3)的所述第一鈍化層(3)和所述第二鈍化層(4)上開設有第一電極開口(P1)，覆蓋所述臺面頂面(M1)的所述第一鈍化層(3)和所述第二鈍化層(4)上開設有第二電極開口(P2)；

所述第一電極(5)包括第一部分(51)、第二部分(52)和第三部分(53)；所述第一部分(51)的至少部分位于所述第一電極開口(P1)中，所述第二部分(52)連接于所述第一部分(51)且延伸形成于覆蓋所述臺面側面(M2)的所述第二鈍化層(4)上，所述第三部分(53)連接于所述第二部分(52)且延伸形成于覆蓋所述臺面頂面(M1)的所述第二鈍化層(4)上，且所述第三部分(53)與所述讀出電路(7)連接；所述第二電極(6)位于所述第二電極開口(P2)中。

3.根據權利要求1或2所述的紅外探測器，其特征在于，所述外延層(2)包括在所述襯底(1)上依次生長形成的第一超晶格接觸層(21)、超晶格吸收層(22)和第二超晶格接觸層(23)。

4.根據權利要求3所述的紅外探測器，其特征在于，所述第一電極(5)形成于所述外延層(2)上，所述第二電極(6)形成于所述外延層(2)上。

5.根據權利要求4所述的紅外探測器，其特征在于，所述第一超晶格接觸層(21)為N型超晶格接觸層，所述第二超晶格接觸層(23)為P型超晶格接觸層；所述第一電極(5)形成于所述第一超晶格接觸層(21)上，所述第二電極(6)形成于所述第二超晶格接觸層(23)上。

6.根據權利要求3所述的紅外探測器，其特征在于，所述第一超晶格接觸層(21)的厚度為100-500nm，摻雜濃度大于5×10¹⁷/cm³。

7.根據權利要求3所述的紅外探測器，其特征在于，所述第二超晶格接觸層(23)的厚度為100-500nm，摻雜濃度大于5×10¹⁷/cm³。

8.根據權利要求1所述的紅外探測器，其特征在于，襯底(1)為N型襯底。

9.根據權利要求1所述的紅外探測器，其特征在于，所述第二鈍化層(4)的厚度為100-300nm。

10.根據權利要求1或2所述的紅外探測器，其特征在于，所述第一鈍化層(3)為硫化物鈍化層，所述第二鈍化層(4)為氧化硅鈍化層或氮化硅鈍化層。