[實用新型]量子阱結構、芯片及激光器

有效

• 申請號: 202023289626.9
• 申請日: 2020-12-30
• 公開（公告）號: CN215185003U
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 楊彥偉;劉宏亮;鄒顏
• 申請（專利權）人: 芯思杰技術（深圳）股份有限公司
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343;H01S5/12
• 代理公司: 深圳智匯遠見知識產權代理有限公司 44481
• 代理人: 艾青;牛悅涵

本申請總體來說涉及激光技術領域，具體而言，涉及一種量子阱結構、芯片及激光器，其中量子阱結構包括，量子阱結構包括InAlAs量子阱層和InAlGaAs量子阱層，所述InAlAs量子阱層設置多層，所述InAlGaAs量子阱層的厚度與InAlAs量子阱層厚度相同，且相鄰兩個所述InAlAs量子阱層之間設置有所述InAlGaAs量子阱層，其中，所述InAlAs量子阱層的厚度在0.4nm?0.6nm之間，所述InAlAs量子阱層的數量在3?17之間，本申請方案中，InAlAs量子阱層的厚度及層數，在量子阱結構厚度不變的情況下，量子阱結構厚度與單層量子阱層厚度的比值增大了，量子阱限制參數Γ的值增大了，量子阱限制參數增大會減小了芯片閾值電流，提高芯片傳輸速率。

技術領域

本申請總體來說涉及激光技術領域，具體而言，涉及一種量子阱結構、芯片及激光器。

背景技術

DFB激光器芯片結構主要包含N電極、多層量子阱外延結構、布拉格光柵層、脊波導及P型電極，激光主要是通過多層量子阱結構在正向電流的作用下形成離子數反轉，形成受激輻射，產生激光。

多層量子阱結構是產生激光的關鍵，根據激光原理，激光器芯片的閾值電流主要與量子阱的限制參數相關，量子阱限制參數越大，芯片閾值電流越小，而根據現有量子阱結構及加工工藝，限制參數較小，芯片的閾值電流較大，嚴重影響了芯片的傳輸速率。

實用新型內容

在實用新型內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本申請內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了解決芯片的閾值電流較大造成傳輸速率低的技術問題，本申請的主要目的在于，提供一種量子阱結構、芯片及激光器。

為實現上述實用新型目的，本申請采用如下技術方案：

一種量子阱結構，用于DFB激光器芯片，包括：

InAlAs量子阱層，所述InAlAs量子阱層設置多層；

InAlGaAs量子阱層，所述InAlGaAs量子阱層的厚度與InAlAs量子阱層厚度相同，且相鄰兩個所述InAlAs量子阱層之間設置有所述 InAlGaAs量子阱層，

其中，所述InAlAs量子阱層的厚度在0.4nm-0.6nm之間，所述 InAlAs量子阱層的數量在3-17之間。

進一步的，在本方案的一些實施例中，上述InAlAs量子阱層的厚度為0.5nm。

進一步的，在本方案的一些實施例中，上述InAlAs量子阱層的數量為6，所述InAlGaAs量子阱層的數量為5。

一種芯片，設置有上述量子阱結構。

進一步的，在本方案的一些實施例中，上述芯片還包括襯底、緩沖層及設置于所述緩沖層的下漸變層組，所述量子阱結構生長于所述下漸變層組。

進一步的，在本方案的一些實施例中，上述下漸變層組包括第一下漸變層及位于所述第一下漸變層與所述量子阱結構之間的第二下漸變層；

所述第一下漸變層的厚度為40nm-60nm，所述第二下漸變層厚度為 8nm-12nm。

進一步的，在本方案的一些實施例中，上述芯片還包括依次疊設于所述量子阱結構的上漸變層組、覆蓋層、腐蝕截止層、頂層、過渡層及接觸層。

進一步的，在本方案的一些實施例中，上述上漸變層組包括第一上漸變層及位于所述第一上漸變層與所述量子阱結構之間的第二上漸變層；

所述第一上漸變層的厚度為40nm-60nm，所述第二上漸變層厚度為8nm-12nm。

一種激光器，安裝上述芯片。