[實用新型]一種超高場發射勻場線圈結構

有效

• 申請號: 202023281636.8
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN214252552U
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 魏子棟;鐘繼凡
• 申請（專利權）人: 深圳市聯影高端醫療裝備創新研究院
• 主分類號: G01R33/387
• 分類號: G01R33/387
• 代理公司: 武漢智嘉聯合知識產權代理事務所(普通合伙) 42231
• 代理人: 丁倩

1.一種超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，包括多個偶極子天線單元，多個偶極子天線單元環繞分布在負載的外側，所述偶極子天線單元包括介質層和偶極子天線，所述偶極子天線設置于所述介質層的一側，所述介質層遠離所述偶極子天線的一側靠近所述負載設置，其中，至少一個所述偶極子天線單元的介質層具有多層介質。

2.根據權利要求1所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，所述偶極子天線單元按照所述負載的外側面形狀隨形排布。

3.根據權利要求1所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，所述具有多層介質的偶極子天線單元設置于超高場點磁場不均勻分布的位置。

4.根據權利要求1所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，每一所述偶極子天線單元對應一發射通道，不同的所述發射通道的幅值和相位可獨立調節。

5.根據權利要求4所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，還包括屏蔽件，所述屏蔽件安裝于所述偶極子天線單元圍成的環形外側，用于減弱不同的所述發射通道之間的磁場，以降低耦合。

6.根據權利要求5所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，所述屏蔽件為中空環形結構，所述偶極子天線單元圍成的環形位于所述屏蔽件的環形內側。

7.根據權利要求6所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，不同的所述偶極子天線單元與所述屏蔽件的內側壁的間距相等。

8.根據權利要求5所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，所述屏蔽件包括多個屏蔽帽，所述屏蔽帽的數目不多于所述偶極子天線單元的數目，所述屏蔽帽一一對應的罩設于所述偶極子天線單元的外側，不同的所述偶極子天線單元與對應的所述屏蔽帽的內側壁的間距相等。

9.根據權利要求1所述的超高場發射勻場線圈結構，其特征在于，所述偶極子天線單元為條狀，所述偶極子為規則的條狀結構或者為至少部分呈彎曲狀的不規則蛇形結構，所述偶極子天線單元的饋電端口設置于所述偶極子的中部位置。