[實(shí)用新型]一種背光模組有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023277636.0 | 申請(qǐng)日： | 2020-12-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN213877358U | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李小丁 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市辰中科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G09F9/00 | 分類(lèi)號(hào)： | G09F9/00 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林凡燕 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)香蜜湖街*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 背光 模組 | ||
本實(shí)用新型提出一種背光模組，包括：背板，包括一底板和側(cè)板，所述底板和所述側(cè)板形成容納腔體，所述容納腔體包括一出光口；多個(gè)光源，設(shè)置在所述底板上；擴(kuò)散板，設(shè)置在所述背板上，且所述擴(kuò)散板封閉所述出光口；量子點(diǎn)膜片，設(shè)置在所述擴(kuò)散板上；光學(xué)膜片，設(shè)置在所述量子點(diǎn)膜片上，所述光源發(fā)射的光線依次穿過(guò)所述擴(kuò)散板，所述量子點(diǎn)膜片和所述光線膜片；其中，所述光源包括基板，發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片倒裝設(shè)置在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一端連接所述基板的第一焊盤(pán)，所述發(fā)光二極管芯片的第二電極的第一端連接所述基板上的第二焊盤(pán)。本實(shí)用新型提出的背光模組有利于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品超薄化。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種背光模組。
背景技術(shù)
背光模組為顯示器件的關(guān)鍵零部件之一，用于給顯示器件提供發(fā)光的背光源。目前的背光模組為反射式背光結(jié)構(gòu)，具體地：使用含碗杯狀支架的直射型LED燈珠，通過(guò)SMT(Surface Mount Technology，表面貼裝技術(shù))工藝將該LED燈珠貼設(shè)于PCB板上制成LED光源，再在該LED光源上蓋設(shè)反射式透鏡，制成該反射式背光結(jié)構(gòu)。
目前使用的反射式背光結(jié)構(gòu)，由于使用了反射式透鏡，增加了物料的使用，同時(shí)透鏡的高度使得整個(gè)背光模組的厚度增加，這樣將造成背光模組的厚度較厚，應(yīng)用在電視或手機(jī)等顯示產(chǎn)品上則不利于顯示產(chǎn)品的超薄化。
實(shí)用新型內(nèi)容
鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實(shí)用新型提出一種背光模組，該背光模組制造工藝簡(jiǎn)單，且有利于實(shí)現(xiàn)顯示產(chǎn)品的超薄化。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他目的，本實(shí)用新型提出一種背光模組，包括：
背板，包括一底板和側(cè)板，所述底板和所述側(cè)板形成容納腔體，所述容納腔體包括一出光口；
多個(gè)光源，設(shè)置在所述底板上；
擴(kuò)散板，設(shè)置在所述背板上，且所述擴(kuò)散板封閉所述出光口；
量子點(diǎn)膜片，設(shè)置在所述擴(kuò)散板上；
光學(xué)膜片，設(shè)置在所述量子點(diǎn)膜片上，所述光源發(fā)射的光線依次穿過(guò)所述擴(kuò)散板，所述量子點(diǎn)膜片和所述光線膜片；
其中，所述光源包括基板，發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片倒裝設(shè)置在所述基板上，所述發(fā)光二極管芯片的第一電極的第一端連接所述基板的第一焊盤(pán)，所述發(fā)光二極管芯片的第二電極的第一端連接所述基板上的第二焊盤(pán)。
進(jìn)一步地，所述光源還包括透明膠層，所述透明膠層包覆所述發(fā)光二極管芯片。
進(jìn)一步地，所述發(fā)光二極管芯片包括：
襯底；
發(fā)光層，包括第一半導(dǎo)體層，有源層和第二半導(dǎo)體層；
電流擴(kuò)散層，位于所述第二半導(dǎo)體層上；
凹槽，位于襯底上，暴露出所述第一半導(dǎo)體層。
進(jìn)一步地，所述第一電極位于所述凹槽內(nèi)。
進(jìn)一步地，所述第一電極的第二端連接所述第一半導(dǎo)體層。
進(jìn)一步地，所述第二電極位于所述第一電極的一側(cè)，所述第二電極的第二端連接所述電流擴(kuò)散層。
進(jìn)一步地，所述第一電極的高度大于所述第二電極的高度。
進(jìn)一步地，所述有源層包括周期生長(zhǎng)的阱層和壘層。
進(jìn)一步地，所述阱層和所述壘層的總層數(shù)為40-50層。
進(jìn)一步地，相鄰兩個(gè)所光源的距離為5-6mm。
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