[實用新型]一種氮化鎵材料的外延結構

有效

• 申請號: 202023237542.0
• 申請日: 2020-12-29
• 公開（公告）號: CN213936116U
• 公開（公告）日: 2021-08-10
• 發明（設計）人: 尹寶堂;吳軍;田澤;田露;黎力韜
• 申請（專利權）人: 廣西華智芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/033
• 代理公司: 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229
• 代理人: 王翠

本實用新型公開了一種氮化鎵材料的外延結構，包括外延底座，外延底座包括襯底板，襯底板的上表面均勻光刻有圖形結構，圖形結構呈正六邊形，每個圖形結構外圍處成型有隔離槽，隔離槽的橫向間距等于圖形結構的邊緣垂直壁厚，襯底板的上表面縱向貼合有電極隔離條，襯底板的上表面橫向貼合有分割隔離條，在生產氮化鎵元件時，氮化鎵在圖形結構的上表面以及襯底板的上表面生長，并且在電極隔離條和分割隔離條的內壁之間生長，在隔離為器件大小的同時，還能夠預留隔離出電極槽，有效的解決了現有的氮化鎵材料在外延生長生產時為一體結構，因此后期切割、蝕刻槽位時比較麻煩的問題。

技術領域

本實用新型涉及氮化鎵技術領域，具體為一種氮化鎵材料的外延結構。

背景技術

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙的半導體，常用在發光二極管中，此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高，氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，在燈具中使用該材料時，由于燈具的燈點結構大小平整類似，因此在氮化鎵成型后，需要安裝一定形狀分割，分割過程和電極植入比較麻煩，鑒于以上問題，特提出一種氮化鎵材料的外延結構。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種氮化鎵材料的外延結構，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：一種氮化鎵材料的外延結構，包括外延底座，所述外延底座包括襯底板，的上表面均勻光刻有圖形結構，所述圖形結構呈正六邊形，每個所述圖形結構外圍處成型有隔離槽，所述隔離槽的橫向間距等于圖形結構的邊緣垂直壁厚，所述襯底板的上表面縱向貼合有電極隔離條，所述襯底板的上表面橫向貼合有分割隔離條。

優選的，所述圖形結構的上表面開設有成型槽。

優選的，所述成型槽的垂直厚度等于圖形結構的邊緣垂直壁厚的二分之一。

優選的，所述電極隔離條的側表面與分割隔離條的側表面相嚙合。

優選的，所述電極隔離條由下至上分別一體成型有第一遮擋條、第二遮擋條和第三遮擋條，所述第一遮擋條的側邊與下表面夾角為110°-125°之間，所述第二遮擋條的側邊延長線與下表面之間的夾角為100°-115°之間，所述第三遮擋條的側邊為豎直狀態。

優選的，所述分割隔離條由下至上分別一體成型有第一隔離條、第二隔離條和第三隔離條，所述第一隔離條、第二隔離條和第三隔離條的側面邊緣角度與第一遮擋條、第二遮擋條和第三遮擋條為180°互補關系。

與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型設置了一種帶有電極隔離條和分割隔離條的氮化鎵材料外延底座，在生產氮化鎵元件時，氮化鎵在圖形結構的上表面以及襯底板的上表面生長外延，并且在電極隔離條和分割隔離條的內壁之間生長，在隔離為器件大小的同時，還能夠預留隔離出電極槽，有效的解決了現有的氮化鎵材料在外延生長生產時為一體結構，因此后期切割、蝕刻槽位時比較麻煩的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖。

圖2為本實用新型俯視圖。

圖3為本實用新型圖形結構立體示意圖。

圖4為本實用新型圖形結構俯視圖。

圖5為本實用新型電極隔離條剖面示意圖。

圖6為本實用新型分割隔離條主視圖。

圖中：1、外延底座，11、襯底板，12、圖形結構，13、成型槽，14、電極隔離條，15、分割隔離條，16、第一遮擋條，17、第二遮擋條，18、第三遮擋條，19、第一隔離條，110、第二隔離條，111、第三隔離條，112、隔離槽。

具體實施方式