[實用新型]一種硅片載板有效
| 申請號: | 202023229189.1 | 申請日: | 2020-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN213958935U | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 宣城睿暉宣晟企業管理中心合伙企業(有限合伙) |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 于妙卓 |
| 地址: | 242074 安徽省宣城市經濟*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 | ||
1.一種硅片載板,其特征在于,包括:
本體(1);
第一凹槽(2),由所述本體(1)的一面向內凹陷形成;
第二凹槽(3),由所述第一凹槽(2)的槽底向內凹陷形成,所述第一凹槽(2)與所述第二凹槽(3)之間的區域形成臺階面,適于支撐硅片(6)的邊緣區域;
凸起(4),設置在所述第二凹槽(3)的槽底,適于支撐硅片(6)的中間區域。
2.根據權利要求1所述的硅片載板,其特征在于,
所述第一凹槽(2)的邊長大于硅片(6)的邊長;
所述第二凹槽(3)的邊長小于硅片(6)的邊長。
3.根據權利要求1所述的硅片載板,其特征在于,
所述凸起(4)沿所述第二凹槽(3)的對角線間隔設置有多個。
4.根據權利要求1所述的硅片載板,其特征在于,
所述凸起(4)背向所述第二凹槽(3)的槽底的表面為曲面。
5.根據權利要求4所述的硅片載板,其特征在于,
所述凸起(4)呈半球狀結構,所述半球狀結構背對所述第二凹槽(3)的一端與所述第一凹槽(2)的槽底相平齊。
6.根據權利要求1所述的硅片載板,其特征在于,
所述第二凹槽(3)的槽底上還設有向上凸出且頂面為平面的柱體(5),所述柱體(5)的頂面與所述第一凹槽(2)的槽底相平齊。
7.根據權利要求6所述的硅片載板,其特征在于,
所述柱體(5)有四個且分別設置在所述第二凹槽(3)的對角線上,所述柱體(5)和所述第二凹槽(3)的側壁之間的距離小于所述凸起(4)和所述第二凹槽(3)的側壁之間的距離。
8.根據權利要求1-7任一項所述的硅片載板,其特征在于,
所述臺階面上設置有通孔,所述通孔與所述第一凹槽(2)的槽壁之間的間距不小于硅片(6)邊緣與所述第一凹槽(2)的槽壁之間的間距。
9.根據權利要求1-7任一項所述的硅片載板,其特征在于,
所述凸起(4)與所述本體(1)的材質不同,所述凸起(4)嵌設在所述第二凹槽(3)的槽底;
和/或,所述凸起(4)與所述本體(1)的材質相同,所述凸起(4)與所述本體(1)一體成型。
10.根據權利要求9所述的硅片載板,其特征在于,
所述凸起(4)與所述本體(1)的材質不同時,所述凸起(4)為聚醚醚酮材質,所述本體(1)為玻璃材質;
所述凸起(4)與所述本體(1)的材質相同時,所述凸起(4)的材質為石墨或陶瓷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





