[實用新型]Micro-LED芯片結構及Micro-LED發光組件

有效

• 申請號: 202023213133.7
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN213519957U
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 畢文剛;王國斌;徐科
• 申請（專利權）人: 江蘇第三代半導體研究院有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/38;H01L33/06
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述Micro-LED芯片結構包括外延結構，所述外延結構包括依次設置在透光襯底(6)上的第二半導體層(5)、有源區(4)和第一半導體層(1)，所述第一半導體層(1)、第二半導體層(5)分別與第一電極(7)、第二電極(8)配合，所述第二電極(8)分布于透光襯底(6)周圍，并與透光襯底(6)的側壁接觸。

2.根據權利要求1所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述透光襯底(6)遠離第二半導體層(5)的一側表面為出光面。

3.根據權利要求1-2中任一項所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述第二電極(8)環繞透光襯底(6)設置形成光學擋墻結構(15)。

4.根據權利要求1-2中任一項所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述第一電極(7)、第二電極(8)分別與第一半導體層(1)、第二半導體層(5)形成歐姆接觸；和/或，所述透光襯底是導電的，所述第二電極(8)與透光襯底(6)的側壁形成電性接觸；和/或，所述透光襯底與第二半導體層具有相同導電類型。

5.根據權利要求1所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述第一電極(7)設置在第一半導體層(1)遠離有源區(4)的一側表面上；和/或，所述第一半導體層(1)與有源區(4)之間還設置有載流子阻擋層(2)；和/或，所述有源區(4)包括多量子阱有源區。

6.根據權利要求1所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述Micro-LED芯片結構還包括光轉換結構，所述光轉換結構設置在透光襯底(6)上。

7.根據權利要求6所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述光轉換結構包括覆設在透光襯底(6)上的量子點光轉換材料層(16)。

8.根據權利要求1所述的Micro-LED芯片結構，其特征在于：所述Micro-LED芯片結構還包括絕緣隔離結構(9)，所述絕緣隔離結構(9)至少環繞透光襯底(6)、第二半導體層(5)及有源區(4)設置。

9.一種Micro-LED發光組件，其特征在于：所述Micro-LED發光組件包括多個發光單元，其中至少一個發光單元具有權利要求1-8中任一項所述的Micro-LED芯片結構。

10.根據權利要求9所述的Micro-LED發光組件，其特征在于：所述發光單元的徑向尺寸在5μm以下。