[實用新型]基片處理裝置

有效

• 申請號: 202023211384.1
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN214203619U
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 櫻井宏紀;后藤大輔;中澤貴士;高松祐助;橋本佑介
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/306
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本實用新型提供一種基片處理裝置，其能夠抑制在利用混合液的蝕刻處理結束時在混合部發生突沸反應。本實用新型的一個方式的基片處理裝置包括升溫部、混合部和釋放部。升溫部使硫酸升溫。混合部將升溫后的硫酸與含有水分的液體混合來生成混合液。釋放部在基片處理部內對基片釋放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升溫后的硫酸流動的硫酸供給管路與供液體流動的液體供給管路合流；和反應抑制機構，其抑制合流部中的升溫后的硫酸與液體的反應。

技術領域

本實用新型涉及一種基片處理裝置。

背景技術

一直以來，已知有在半導體晶片(以下，也稱為晶片。)等基片上形成的膜中包含兩種材料(例如，配線材料和防擴散膜)的情況下，選擇性地蝕刻一種材料的技術(參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-285508號公報

實用新型內容

實用新型要解決的技術問題

本實用新型提供能夠抑制在利用混合液的蝕刻處理結束時，在混合部發生突沸反應的技術。

用于解決技術問題的技術方案

本實用新型的一個方式的基片處理裝置包括升溫部、混合部和釋放部。升溫部使硫酸升溫。混合部將升溫后的硫酸與含有水分的液體混合來生成混合液。釋放部在基片處理部內對基片釋放上述混合液。此外，上述混合部包括：合流部，其用于供升溫后的硫酸流動的硫酸供給管路與供上述液體流動的液體供給管路合流；和反應抑制機構，其抑制上述合流部中的升溫后的硫酸與上述液體的反應。

實用新型效果

依照本實用新型，能夠抑制在利用混合液的蝕刻處理結束時在混合部發生突沸反應。

附圖說明

圖1是表示實施方式的基片處理系統的概要結構的示意圖。

圖2是表示處理單元的具體的結構例的示意圖。

圖3是表示實施方式中的蝕刻處理的概要的圖。

圖4是表示實施方式的混合液供給部的結構的圖。

圖5是表示實施方式的反應抑制機構的結構的圖。

圖6是表示實施方式的蝕刻處理中的各部的運作模式的具體例子的時序圖。

圖7是表示實施例和參考例的反應停止時間的圖。

圖8是表示實施方式的變形例1的反應抑制機構的結構的圖。

圖9是表示變形例1和參考例的反應停止時間的圖。

圖10是表示實施方式的變形例2的反應抑制機構的結構的圖。

圖11是表示實施方式的變形例2的蝕刻處理中的各部的運作模式的具體例子的時序圖。

圖12是用于說明實施方式的變形例2的反應抑制機構的工作的圖。

圖13是表示實施方式的變形例3的反應抑制機構的結構的圖。

圖14是表示實施方式的變形例3的蝕刻處理中的各部的運作模式的具體例子的時序圖。

圖15是表示實施方式的變形例4的反應抑制機構的結構的圖。

圖16是表示實施方式的變形例4的蝕刻處理中的各部的運作模式的具體例子的時序圖。

圖17是表示實施方式的變形例5的反應抑制機構的結構的圖。

圖18是表示實施方式的變形例6的反應抑制機構的結構的圖。