[實用新型]防止霧化片生銹的電路及具有富氫、加濕一體功能的設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023204371.1
• 申請日: 2020-12-28
• 公開（公告）號: CN214736121U
• 公開（公告）日: 2021-11-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 游建
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波慧方電子科技有限公司
• 主分類號: C25B1/04
• 分類號: C25B1/04;C25B9/17;C25B9/65;F24F6/12;F24F11/64;F24F11/88
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本實用新型公開了一種防止霧化片生銹的電路及具有富氫、加濕一體功能的設(shè)備，包括電解單元、霧化片、單片機和供電電池，電解單元包括陽極端和陰極端，霧化片也包含兩極，單片機與霧化杯之間連接有驅(qū)動霧化片霧化的霧化驅(qū)動電路，霧化驅(qū)動電路包括色環(huán)電感、變壓器及MOS管，霧化片的一極通過色環(huán)電感連接在變壓器原邊繞組的一端，且變壓器原邊繞組的另一端與霧化片的另一極連接，變壓器副邊繞組的一端與MOS管的D腳連接，MOS管的G腳與單片機相連，MOS管的S腳連接模擬接地端連接，在陽極端和陰極端之間設(shè)置有電解保護電路，變壓器副邊繞組的另一端連接與供電電池的正極端連接；本結(jié)構(gòu)在使用電解時，不會出現(xiàn)生銹的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型可應(yīng)用在日常生活，或醫(yī)療健康領(lǐng)域的設(shè)備中，尤其涉及防止霧化片生銹的電路及具有富氫、加濕一體功能的設(shè)備。

背景技術(shù)

目前，市面上普通的富氫水杯或設(shè)備只有將水電解的功能，會產(chǎn)生少許氫氣和氧氣，還有一種專門的加濕水杯，將水霧化后用來加濕，功能都比較單一，如果將這兩種功能結(jié)合到一起，既能電解，又能加濕，這樣會更加方便使用。但是由于電解的時候會發(fā)生電化學(xué)腐蝕的，容易對陽極產(chǎn)生損壞，以致于在電解時對霧化片產(chǎn)生腐蝕而導(dǎo)致霧化片生銹，進而污染杯子中的水，因此如何解決由于水電解時霧化片生銹問題顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型的目的在于提供一種防止霧化片生銹的電路及具有富氫、加濕一體功能的設(shè)備，以解決設(shè)備在水電解過程中霧化片生銹的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供如下技術(shù)方案：一種防止霧化片生銹的電路，包括浸泡在水里的電解單元以及霧化片HUMI，所述的電解單元包括陽極端E+和陰極端E-，所述霧化片HUMI也包含兩極，還包括一個單片機U1以及供電電池BAT，所述的供電電池BAT給電路中各個需要供電的元器件供電，所述單片機U1與霧化杯之間連接有驅(qū)動霧化片霧化的霧化驅(qū)動電路，所述的霧化驅(qū)動電路包括色環(huán)電感L2、變壓器T1以及MOS管Q2，所述霧化片HUMI的一極通過色環(huán)電感L2連接在所述變壓器T1原邊繞組的一端，且所述變壓器T1原邊繞組的另一端與霧化片HUMI的另一極連接后并與模擬接地端AGND連接，所述變壓器T1副邊繞組的一端與所述MOS管Q2的D腳連接，所述MOS管Q2的G腳與單片機U1相連，所述MOS管Q2的S腳連接模擬接地端AGND連接，在陽極端E+和陰極端E-之間設(shè)置有電解保護電路，所述變壓器T1副邊繞組的另一端連接與供電電池BAT的正極端BAT+連接，所述陽極端E+與供電電池BAT的正極端BAT+都作為電解時的陽極。

作為優(yōu)選，為了使得電路更加穩(wěn)定，所述電解保護電路包括升壓芯片IC2、升壓電感L1、肖特基二極管D1、第二十二電阻R22、第二十一電阻R21、第三電容C3、第四電容C4及電解電容EC2，所述升壓芯片IC2的VDD端與供電電池BAT的正極端BAT+連接，所述升壓芯片IC2的sw腳通過肖特基二極管D1連接陽極端E+，所述第三電容C3與電解電容EC2并聯(lián)后連接在陽極端E+與升壓芯片IC2的電源接地端GND之間，所述第二十二電阻R22、第二十一電阻R21串聯(lián)構(gòu)成分壓電路連接在陽極端E+與升壓芯片IC2的電源接地端GND之間，且所述第二十二電阻R22、第二十一電阻R21的分壓端連接升壓芯片IC2的FB腳作為反饋端，在單片機U1與升壓芯片IC2的電源接地端GND之間串聯(lián)有第二十三電阻R23和第二十四電阻R24，所述第二十三電阻R23和第二十四電阻R24的公共端連接陰極端E-，所述陰極端E-還與模擬接地端AGND連接，所述第二十三電阻R23與單片機U1連接的公共端與電源接地端GND之間連接有第五電容C5，所述第四電容C4連接在BAT+端與升壓芯片IC2的電源接地端GND之間，所述的升壓電感L1連接在升壓芯片IC2的VDD端與sw腳之間。

作為優(yōu)選，為了使得電路更加穩(wěn)定，所述MOS管Q2的G腳與單片機U1之間連接有電限流電阻R16,所述MOS管Q2的G腳與所述MOS管Q2的S腳之間連接有下拉電阻R17。