[實(shí)用新型]一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202023196621.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN214226871U | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-09-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐宏;汪洋;郭優(yōu)優(yōu);童曉燕;佘貽俊;張學(xué)偉;汪宗華 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 銅陵富仕三佳機(jī)器有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/56 |
| 代理公司: | 銅陵市天成專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 34105 | 代理人: | 范智強(qiáng) |
| 地址: | 244000 安徽*** | 國(guó)省代碼: | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 map 陣列 qfn 塑封 翹曲校 平裝 | ||
1.一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是包括底座組件(10)、容置組件(20)、壓持組件(30)和冷卻組件(40),所述底座組件包括底座(11),所述底座上固接有螺柱(12)、刻度導(dǎo)柱(13)和彈簧導(dǎo)柱(14),所述底座設(shè)有用于放置襯塊的容置空間;所述容置組件包括襯塊(21)和墊塊,所述襯塊設(shè)有用于放置墊塊的容置空間;所述壓持組件包括壓板(31)和連接板(32),所述壓板(31)和連接板(32)分別設(shè)有通孔,所述通孔分別與螺柱、刻度導(dǎo)柱相適配,所述壓板和連接板之間設(shè)有墊圈(33)和鎖緊螺母(36),所述連接板(32)頂部固接有彈簧導(dǎo)柱;所述冷卻組件包括氣吹安裝塊(41),所述氣吹安裝塊(41)上固接有氣吹連接塊(42),所述氣吹連接塊(42)固接有氣吹塊(43)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述襯塊包括平板底面結(jié)構(gòu)、上弧底面結(jié)構(gòu)或下弧底面結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述襯塊的容置空間底部設(shè)有規(guī)則排列的銷(xiāo)釘孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述壓持組件有若干個(gè),分別配合有容置組件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述彈簧導(dǎo)柱配有彈簧。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述氣吹塊內(nèi)部設(shè)有氣道,所述氣吹塊一端固接有快換氣接頭(44)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述氣吹連接塊設(shè)有腰型孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是所述襯塊側(cè)面設(shè)有上下兩層通風(fēng)口(202),所述氣吹塊設(shè)有吹風(fēng)口(401),所述通風(fēng)口(202)與氣吹塊的吹風(fēng)口(401)相適配。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種1-Map陣列QFN塑封翹曲校平裝置,其特征是鎖緊螺母通過(guò)高精度螺紋旋壓施加壓持力。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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