[實(shí)用新型]一種水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023180285.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-25
• 公開（公告）號(hào): CN213817719U
• 公開（公告）日: 2021-07-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉鵬;江冠華;孫波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州精源創(chuàng)智能科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K3/012
• 分類號(hào): H03K3/012;G01F23/26
• 代理公司: 江蘇昆成律師事務(wù)所 32281
• 代理人: 劉尚軻

1.一種水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，包括：接線端子P1、P型MOS管Q2、電容C2、電阻R1、電容C1、N型MOS管Q3和P型MOS管Q4，所述接線端子P1的輸出端與P型MOS管Q2連接，P型MOS管Q2與電容C2連接，電阻R1和電容C1并聯(lián)，并且一端與電容C2連接另一端與N型MOS管Q3連接，N型MOS管Q3還與電容C2和P型MOS管Q4連接，所述接線端子P1用來監(jiān)測(cè)水位，當(dāng)有積水時(shí)，接線端子P1的兩個(gè)觸點(diǎn)導(dǎo)通，P型MOS管Q2的柵極低電平，P型MOS管Q2導(dǎo)通，瞬間的電流通過電容C2給電容C1充電，使得N型MOS管Q3的柵極高電平，N型MOS管Q3的漏極與源極導(dǎo)通，P型MOS管Q4柵極被下拉到地，此時(shí)P型MOS管Q4的漏極與源極導(dǎo)通，INT腳輸出一個(gè)高電平脈沖。

2.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，所述水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,還包括P型MOS管Q1，P型MOS管Q1與P型MOS管Q2連接，P型MOS管Q1用于檢測(cè)接線端子P1是否保持連接或者斷開的狀態(tài)，從而檢測(cè)是否有積水。

3.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，電平持續(xù)時(shí)間可以通調(diào)整電阻R1與電容C1的阻值和容值來調(diào)解充電容量和放電速率，用來保證P型MOS管Q4的開啟時(shí)長，可提供開啟電壓。

4.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，接線端子P1的2腳接地，接線端子P1的1腳與P型MOS管Q2連接，電容C2起到隔直流的作用。

5.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，所述水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,還包括電阻R3，電阻R3與P型MOS管Q2并聯(lián)，電阻R3是上拉電阻，用來將P型MOS管Q2的柵極鉗位在高電平，保持截至狀態(tài)。

6.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，所述水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,還包括電阻R4，電阻R4與P型MOS管Q4并聯(lián)，電阻R4是上拉電阻，用來P型MOS管Q4的柵極鉗位在高電平，保持截至狀態(tài)。

7.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，所述水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,還包括電阻R2，電阻R2與P型MOS管Q2和電容C2連接，并且電阻R2的一端接地，當(dāng)接線端子P1斷開后，電阻R2將電容C1左極板上的電荷放掉。

8.如權(quán)利要求1所述的水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,其特征在于，所述水位感應(yīng)器的低功耗上升沿觸發(fā)電路,還包括二極管D1，二極管D1的輸入端與P型MOS管Q4的輸出端連接，二極管D1的輸出端連接INT腳，二極管D1起到單向?qū)娏鞯淖饔谩?/p>