[實用新型]一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置

有效

• 申請號: 202023176097.1
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN214314733U
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 高正飛;王駿瑜
• 申請（專利權）人: 南京聯盈新創電力科技有限公司
• 主分類號: H02J50/10
• 分類號: H02J50/10;H02J50/90;H02J50/80;H02J7/02;H02J9/06;H02J13/00;H02H9/02;H01H85/30;H01H85/02;G16Y40/30;G16Y40/10
• 代理公司: 南京業騰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32321
• 代理人: 馬靜靜

1.一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：包括噴射型熔斷器、取電機構和單片機系統，所述取電機構包括連接于所述噴射型熔斷器的進線側的取電CT，以及；

電源電路，與所述取電CT的輸出端相連，接收所述取電CT輸出的交流電壓，并輸出工作直流電壓提供給單片機系統；

CT輸出保護電路，與所述取電CT的輸出端相連，在取電CT輸出電壓大于預設遲滯閾值時，對取電CT輸出進行鉗位；

后備電源電路，與所述電源電路的輸出端相連，用于電源儲能及停電后輸出工作直流電壓提供給單片機系統。

2.根據權利要求1所述的一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：所述取電CT的啟動電流為0.5A，且在電流為2A后取電CT進入飽和狀態，所述取電CT啟動后的電流輸出功率大于100mW。

3.根據權利要求1所述的一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：所述電源電路包括：由二極管D1、二極管D2、二極管D3和二極管D4組成的整流橋以及溫敏電阻RT1、功率電阻DR2、功率電阻DR3、雙向TVS管Z7、電容E3、穩壓二極管Z1、穩壓二極管Z8、二極管D18、電容E1和電源芯片U7，取電CT兩端經過整流橋轉換成直流電，其中，直流正負極連接雙向TVS管Z7完成電壓鉗位，直流正極同時連接溫敏電阻RT1進行保護后進入電容E3完成電壓平滑濾波和蓄能VDD0，電容E3的正極連接功率電阻DR2和穩壓二極管Z8組成的穩壓限流電路，完成10V電壓鉗制，再經過功率電阻DR3和穩壓二極管Z1組成的穩壓限流電路，完成5V電壓鉗制，5V電壓經過二極管D18進入電容E1蓄能，電容E1正極接電源管理芯片U7，電源管理芯片U7輸出DC3.3V的工作直流電壓。

4.根據權利要求3所述的一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：所述CT輸出保護電路包括：

電阻R41、電阻R78、電阻R77和比較器U19組成的電壓比較器，所述電容E3的正極VDD0經過電阻R41和電阻R68分壓后接入比較器U19正端，比較器U19負端接入穩定電壓V1P2，電阻R77連接于比較器U19正端和輸出之間組成思密特電路；

二極管D14、二極管D15、電阻R11、MOS管V4和MOS管V5以及雙向TVS管Z6組成的遲滯比較器，其中雙向TVS管Z6兩端的分別于取電CT兩端相鄰，所述比較器U19輸出BH_GB端與二極管D15正端連接，并預設遲滯閾值，當二極管D15正端電壓大于遲滯閾值的上限，遲滯比較器輸出高電平，MOS管V4和MOS管V5導通，將取電CT兩端短接，當二極管D15正端電壓小于遲滯閾值的下限，遲滯比較器輸出低電平，MOS管V4和MOS管V5截止。

5.根據權利要求4所述的一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：所述后備電源電路包括DC/DC芯片U16、二極管D5、超級電容SCF1以及芯片U8，所述DC/DC芯片U16的輸入端與電源電路輸出端相連，所述DC/DC芯片U16用于將3.3V的工作直流電壓轉換為2.7V電壓，所述DC/DC芯片U16的輸出端與二極管D5正極相連，所述二極管D5的負極與超級電容SCF1相連，所述超級電容SCF1用于儲能，所述芯片U8與所述超級電容SCF1輸出端相連，用于將超級電容SCF1內的電壓升壓至為3.3V的工作直流電壓。

6.根據權利要求1所述的一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：所述取電CT與噴射型熔斷器一體化澆鑄。

7.根據權利要求5所述的一種超低功耗噴射型熔斷器CT取電裝置，其特征在于：所述單片機系統包括單片機、紅外發射電路和紅外接收電路以及通信模塊，其中，所述單片機端口DLKZ與二極管D14的正極連接，當單片機檢測到超級電容SCF1充滿時，單片機端口DLKZ輸出高電平，MOS管V4和MOS管V5導通，將取電CT兩端短接，所述單片機用于對紅外發射電路和紅外接收電路的電源進行管控，所述單片機與通信模塊相連，并通過通信模塊與物聯網通信連接，所述紅外發射電路和紅外接收電路上分別安裝有紅外發射管和紅外接收管，用于對噴射型熔斷器的熔絲組件位置進行檢測。