[實用新型]一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管

有效

• 申請號: 202023173727.X
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN213988913U
• 公開（公告）日: 2021-08-17
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 至芯半導體（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/12;H01L33/32
• 代理公司: 北京華創智道知識產權代理事務所(普通合伙) 11888
• 代理人: 彭隨麗

1.一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于，包括如下結構：

藍寶石圖形襯底；

所述藍寶石圖形襯底上為非摻雜的AlInGaN層；

所述非摻雜的AlInGaN層上為第一N型AlInGaN層：所述第一N型AlInGaN層上還有第二N型AlInGaN層；

所述第二N型AlInGaN層上為AlInGaN多量子阱層；

所述AlInGaN多量子阱層上為AlInGaN電子阻擋層；

所述電子阻擋層上為P型AlInGaN接觸層；

所述第二N型AlInGaN層~ P型AlInGaN接觸層形成的層疊結構的一側具有中心N電極區域，另一側為邊緣N電極區域；

所述中心N電極區域設置有第一SiO₂鈍化層，所述邊緣N電極區域設置有第二SiO₂鈍化層；

所述第一SiO₂鈍化層以及第一SiO₂鈍化層均具有倒梯形凹槽；

在中心N電極區域倒梯形的底部以及邊緣N電極區域倒梯形的底部，設置有Ti/Au 層，所述Ti/Au 層為N電極金屬層；

在所述N電極金屬層上設置有Al金屬作為中心N電極區域倒梯形紫外光反射層和邊緣N電極區域倒梯形紫外光反射層，厚度均為300nm；

所述P型AlInGaN接觸層上設置有Ni/Au合金作為P型電極層，厚度分別為1nm/10nm，所述P型電極層上設置有Al金屬反射層；

所述N電極金屬層通過中心N電極區域倒梯形紫外光反射層與合金點連接，進而與基座連接，所述P型電極層通過合金點與基座電連接，形成倒裝芯片結構。

2.根據權利要求1所述的一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于：所述非摻雜的AlInGaN層厚度為3μm；所述第一N型AlInGaN層的厚度為2μm。

3.根據權利要求1所述的一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于：所述AlInGaN多量子阱層的結構為Al0.25In0.01Ga0.74N/Al0.5In0.01Ga0.49N，其中Al0.25In0.01Ga0.74N為量子阱層，阱寬為2nm，Al0.5In0.01Ga0.49N為量子壘層，壘寬為12nm，周期厚度為14nm，其周期數為6。

4.根據權利要求1所述的一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于：所述中心N電極區域為3長條形，長條形的寬度為50μm，長度為300μm，高度為500nm，所述邊緣N電極區域的寬度為20μm，高度為500nm。

5.根據權利要求1所述的一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于：所述中心N電極區域倒梯形的頂部長邊為46μm，側壁區域鈍化層寬2μm，底部短邊為40μm，側壁區域鈍化層寬5μm；所述邊緣N電極區域倒梯形的頂部長邊為16μm，側壁區域鈍化層寬2μm，底部短邊為10μm，側壁區域鈍化層寬5μm。

6.根據權利要求1所述的一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于：所述AlInGaN電子阻擋層厚度為40nm，所述P型AlInGaN接觸層厚度為150nm，所述Ti/Au層厚度分別為100nm/100nm，所述P型電極層上的Al金屬反射層厚度為500nm。

7.根據權利要求1所述的一種具有倒裝芯片結構的紫外AlInGaN發光二極管，其特征在于：所述倒裝芯片大小為500μm×500μm。