[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023172472.5
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN214428620U
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉志拯
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

晶體管結(jié)構(gòu)，位于襯底表面；

介質(zhì)層，覆蓋所述襯底和所述晶體管結(jié)構(gòu)；

金屬層，分立設(shè)置在所述介質(zhì)層頂部表面；

開口，基于所述金屬層之間的間隙，設(shè)置在所述介質(zhì)層中；

絕緣層，填充所述開口和所述金屬層之間的間隙，所述絕緣層的介電常數(shù)小于所述介質(zhì)層的介電常數(shù)，用于減小所述金屬層之間的寄生電容，以及所述金屬層與所述晶體管結(jié)構(gòu)之間的寄生電容。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層之間的間隙的寬度為10nm～50nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層包括：

第一絕緣膜，位于所述開口和所述金屬層側(cè)壁；

第二絕緣膜，位于所述第一絕緣膜側(cè)壁且填充所述開口和所述金屬層之間的間隙。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層還包括：空氣間隙，由所述第二絕緣膜圍成，用于減小所述絕緣層的介電常數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述空氣間隙還位于所述金屬層之間的間隙中。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直于所述襯底表面的方向上，所述空氣間隙的長度至少為10nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求3～6任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣膜的厚度為2nm～10nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求3～6任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一絕緣膜與所述第二絕緣膜的材料不同，且所述第二絕緣膜的介電常數(shù)小于所述第一絕緣膜的介電常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣層包括：

第一絕緣膜，位于所述開口和所述金屬層側(cè)壁；

第二絕緣膜，位于所述第一絕緣膜側(cè)壁頂部，用于對金屬層之間的間隙進行封口；

所述第一絕緣膜與所述第二絕緣膜共同圍成空氣間隙，所述空氣間隙用于減小所述絕緣層的介電常數(shù)。