[實用新型]一種激光器外延結構、VCSEL芯片

有效

• 申請號: 202023168938.4
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN214255059U
• 公開（公告）日: 2021-09-21
• 發明（設計）人: 林志偉;陳凱軒;童吉楚;謝昆江;徐楓
• 申請（專利權）人: 廈門乾照激光芯片科技有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種激光器外延結構，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底為導電襯底；

沿第一方向依次堆疊在所述襯底表面的緩沖層、N型DBR層、有源區、氧化層、P型DBR層及P型歐姆接觸層；所述第一方向垂直于所述襯底，并由所述襯底指向所述P型歐姆接觸層；所述N型DBR層和P型DBR層分別包括若干組交替生長的低折射率物質層和高折射率物質層，且所述低折射率物質層和所述高折射率物質層界面之間形成隧穿結。

2.根據權利要求1所述的激光器外延結構，其特征在于：所述低折射率物質層包括N型摻雜層，所述高折射率物質層包括P型摻雜層，所述隧穿結包括N型高摻層與P型高摻層的堆疊，且所述N型高摻層靠近所述N型摻雜層而設置，所述P型高摻層靠近所述P型摻雜層而設置，使所述N型摻雜層與P型摻雜層之間形成隧穿效應。

3.根據權利要求1所述的激光器外延結構，其特征在于：所述N型DBR層沿所述第一方向的開始層和結束層均為N型摻雜；所述P型DBR層沿所述第一方向的開始層和結束層均為P型摻雜。

4.根據權利要求2所述的激光器外延結構，其特征在于：所述N型高摻層的厚度不超過5nm；所述P型高摻層的厚度不超過3nm。

5.根據權利要求2所述的激光器外延結構，其特征在于：所述N型摻雜層和所述N型高摻層包括Al_xGa_1-xAs材料層；所述P型摻雜層和所述P型高摻層包括Al_xGa_1-xAs材料層；其中，0＜x≤0.5，0.5＜y＜1。

6.根據權利要求1所述的激光器外延結構，其特征在于：所述N型DBR層交替生長的組數為0-30組，不包括端點值；所述P型DBR層交替生長的組數為0-30組，不包括端點值。

7.一種VCSEL芯片，其特征在于，包括：

采用權利要求1-6任一項所述的激光器外延結構；

所述氧化層經過氧化處理，且所述氧化層的中心區域為未氧化區域形成導電通道；

N型電極，其設置于所述襯底背離所述緩沖層的一側表面；

P型環形電極，其環繞設置在所述P型歐姆接觸層背離所述P型DBR層的一側表面。