[實(shí)用新型]一種發(fā)光裝置及模組

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023166624.0
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN214378487U
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚述光;萬垂銘;曾照明;龍小鳳;肖國偉
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東晶科電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/50;H01L25/075
• 代理公司: 廣州新諾專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍;李小林

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，包括基底、LED芯片、保護(hù)墻和保護(hù)層；

所述保護(hù)墻與所述基底連接并形成凹部，所述凹部的凹面為發(fā)光面；

所述LED芯片設(shè)于所述基底并位于所述凹部內(nèi)；

所述保護(hù)層填充在所述凹部并覆蓋所述發(fā)光面、所述LED芯片，所述保護(hù)層在所述凹部外形成凸?fàn)畹某龉饷妫?/p>

所述保護(hù)墻上并沿所述出光面設(shè)有凸起的擋墻；

所述發(fā)光面的俯視方向的外形為多邊形或由多邊形相鄰兩條邊圓角過渡結(jié)構(gòu)的形狀。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述基底包括正極金屬基底層和負(fù)極金屬基底層，所述保護(hù)墻填充于所述LED芯片的四周、所述正極金屬基底層與所述負(fù)極金屬基底層之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述保護(hù)墻垂直設(shè)于所述基底，所述保護(hù)層的最外圍部分呈橢圓形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述橢圓形狀滿足X²/a²+Y²/b²＝1(a＞b＞0)，a為所述保護(hù)層的寬度的1/2，b為所述保護(hù)層的高度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述出光面朝向所述保護(hù)墻外沿方向呈現(xiàn)不少于一種的橢圓形狀，所述兩個(gè)以上的橢圓形狀中，a值不同，b值相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述b/a的比值區(qū)間為0.4-0.8。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，所述保護(hù)墻由熱固型材料或熱塑型材料組成。

8.一種發(fā)光裝置的模組，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的發(fā)光裝置、PCB、IC驅(qū)動、擴(kuò)散片、白光轉(zhuǎn)換層和增光片。