[實用新型]一種鋱鎵石榴石晶體鍍膜夾具

有效

• 申請號: 202023166502.1
• 申請日: 2020-12-25
• 公開（公告）號: CN214115713U
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 胡露;劉凱;馬曉;侯田江;張心賁
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/30;C23C14/32
• 代理公司: 武漢臻誠專利代理事務所(普通合伙) 42233
• 代理人: 胡星馳

本實用新型公開了一種用于鋱鎵石榴石晶體雙面鍍膜的圓形夾具，包括扁平圓柱體，扁平圓柱體上設置有多個貫穿孔，這些貫穿孔周向均勻分布在所述扁平圓柱體上，以用于容納待鍍膜的鋱鎵石榴石晶體；扁平圓柱體的外柱面一體成型有環形凸臺，以用于擱置到鍍膜傘架的圓孔部位，環形凸臺在對應于每個所述貫穿孔的位置分別設置有螺紋孔，每個所述螺紋孔處分別連接有用于抵緊貫穿孔內的鋱鎵石榴石晶體的螺紋緊固件；至少一個緊固件為螺紋桿，螺紋桿遠離貫穿孔的一端超出環形凸臺的外柱面從而形成捏持部。本實用新型通過一次裝夾來實現雙面鍍膜，不用反復的裝/卸夾鋱鎵石榴石晶體，可以減少鋱鎵石榴石晶體多次裝/卸夾操作帶來的崩邊、破損等缺陷。

技術領域

本實用新型屬于夾具領域，更具體地，涉及一種鋱鎵石榴石晶體鍍膜夾具。

背景技術

鋱鎵石榴石(Terbium Gallium Garnet，TGG)鋱鎵石榴石晶體在400～1100nm波段(不包括470～500nm)透明，具有大磁光常數、低透射損耗、高熱導率、高抗激光損傷閾值及易生長大尺寸晶體等優點，是目前這一波段最好的磁光材料之一。它是用于制作法拉第旋光器與隔離器的最佳磁光材料，廣泛應用于釔鋁石榴石(YAG)、摻Ti藍寶石等多級放大、環形及種子注入激光器中。

當前鋱鎵石榴石晶體主流生長工藝是采用自動提拉法完成，例如中國電子科技集團26所采用自主研發的JGD-800型上稱重自動提拉爐，成功生長出φ53mm×80mm，外觀完整，無開裂、無螺旋的鋱鎵石榴石晶體，通過可見及近紅外分光光度計測試，加工鋱鎵石榴石晶體樣品透過率約為80.6％。這種生長出來的鋱鎵石榴石晶體，經研磨拋光后的鋱鎵石榴石晶體片因為表面反射效應，其1064nm波段透過率僅在80％左右，無法滿足光通信器件的使用要求，因此需對鋱鎵石榴石晶體進行處理，減少鋱鎵石榴石晶體表面反射，獲得高透鋱鎵石榴石晶體，以便廣泛應用于光隔離器、環形器、光調制器等光通信器件中。

而目前常規的處理方法是進行表面處理形成增透膜，其是先將提拉法生長的鋱鎵石榴石晶體規定尺寸定向、切割、輥圓、研磨、拋光、清洗干凈，然后鋱鎵石榴石晶體放置在工裝上，并將一些工裝攤在鍍膜傘架上，采用電子束蒸鍍和離子輔助沉積工藝，從而在鋱鎵石榴石晶體表面鍍制增透膜層。而一個工裝上一般會安裝多個鋱鎵石榴石晶體，在鋱鎵石榴石晶體的一面鍍完后，需在工裝上拆下鋱鎵石榴石晶體然后翻轉鋱鎵石榴石晶體后再固定到工裝上，然后再放置到鍍膜傘架上鍍另外一面，這樣的方式就使得過程比較繁瑣且比較耗費時間，而且工裝也容易從鍍膜傘架上滑落，鋱鎵石榴石晶體的多次裝/卸夾操作會帶來崩邊、破損等缺陷。

實用新型內容

針對現有技術的以上缺陷或改進需求，本實用新型提供了一種鋱鎵石榴石晶體鍍膜夾具，其通過一次裝夾來實現雙面鍍膜，工藝簡單，操作方便，不用反復的裝/卸夾鋱鎵石榴石晶體，可以減少鋱鎵石榴石晶體多次裝/卸夾操作帶來的崩邊、破損等缺陷。

為實現上述目的，按照本實用新型，提供了一種用于鋱鎵石榴石晶體雙面鍍膜的圓形夾具，其特征在于，包括扁平圓柱體，所述扁平圓柱體上設置有多個貫穿孔，每個所述貫穿孔均沿著所述扁平圓柱體的厚度方向設置，并且這些貫穿孔周向均勻分布在所述扁平圓柱體上，以用于容納待鍍膜的鋱鎵石榴石晶體；

所述扁平圓柱體的外柱面一體成型有環形凸臺，以用于擱置到鍍膜傘架的圓孔部位；

所述環形凸臺在對應于每個所述貫穿孔的位置分別設置有螺紋孔，并且各所述螺紋孔與對應位置處的所述貫穿孔連通，每個所述螺紋孔處分別連接有用于抵緊貫穿孔內的鋱鎵石榴石晶體的螺紋緊固件；

至少一個所述緊固件為螺紋桿，并且該螺紋桿遠離貫穿孔的一端超出所述環形凸臺的外柱面從而形成捏持部。

優選地，所述貫穿孔為圓孔或長方形孔。

優選地，每個所述貫穿孔均為圓孔，并且直徑為2mm～10mm。

優選地，每個所述貫穿孔均為長方形孔，并且長度為2mm～10mm，寬度為2mm～10mm，深度為3mm～15mm。