[實用新型]導流筒及單晶爐

有效

• 申請號: 202023166476.2
• 申請日: 2020-12-24
• 公開（公告）號: CN214193510U
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 丁亞國;顧燕濱;梁萬亮;馬國忠
• 申請（專利權）人: 寧夏銀和新能源科技有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 寧夏合天律師事務所 64103
• 代理人: 鄭重

本實用新型提供一種導流筒及單晶爐，屬于單晶設備技術領域。導流筒包括外殼、內膽及填充于所述外殼和所述內膽之間的絕熱層，所述內膽包括鉬金屬部及高純石墨部，所述鉬金屬部設置于所述高純石墨部上。一方面，高純石墨部靠近硅熔湯液面，鉬金屬部遠離硅熔湯液面，因此降低鉬金屬擴散，提高單晶硅品質；另一方面，位于導流筒上部的鉬金屬部能夠反射部分熱量，增加溫度梯度，提高單晶拉速。上述導流筒能夠在保證單晶拉速的基礎上，降低單晶硅金屬雜質含量，提高單晶硅品質，延長單晶硅使用壽命。

技術領域

本實用新型屬于單晶設備技術領域，具體涉及一種導流筒及單晶爐。

背景技術

導流筒是單晶爐不可或缺的部件之一，對單晶硅材料的生長具有重要的作用。通常地，導流筒由外殼、內膽以及填充于外殼與內膽之間的隔熱材組成，內膽主要有兩種材質，鉬金屬材質或高純石墨材質。

例如，專利號為201611143577.3的中國發明專利公開了一種鉬導流筒及單晶爐，鉬導流筒的內膽由金屬鉬材質制成。鉬導流筒雖然能夠將液面溫度反射，提高單晶拉速，但鉬導流筒底面靠近硅熔湯液面，導致部分金屬鉬升華擴散，并與單晶硅結合，形成金屬雜質，降低了單晶硅的質量。

例如，專利號為201620615579.7的中國實用新型專利公開了一種直拉單晶爐及其導流筒機構，導流筒的內膽由高純石墨制成。高純石墨制成的導流筒內膽結構雖然能夠提高單晶硅的品質，降低單晶硅金屬雜質含量，但單晶拉速較慢，不利于節能降耗。

發明內容

有鑒于此，本實用新型提供一種導流筒，以解決現有技術中存在的單晶拉制過程中，使用鉬導流筒導致單晶硅品質下降，使用石墨導流筒導致單晶拉速變慢的技術問題。

本實用新型還提供一種單晶爐，以能夠在較高拉速下生產高品質單晶硅。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

一種導流筒，包括外殼、內膽及填充于所述外殼和所述內膽之間的絕熱層，所述內膽包括鉬金屬部及高純石墨部，所述鉬金屬部設置于所述高純石墨部上。

優選地，所述高純石墨部的高度為整個導流筒高度的1/5～2/5。

優選地，所述高純石墨部的高度為整個導流筒高度的1/4。

優選地，所述鉬金屬部的底部與所述高純石墨部的上部疊合。

優選地，所述鉬金屬部的底部外徑小于所述高純石墨部的上部內徑，且大于所述高純石墨部的中部內徑，所述鉬金屬部的底部外壁能夠與所述高純石墨部的上部內壁貼合。

優選地，所述高純石墨部與所述鉬金屬部的重合部分的高度為所述高純石墨部高度的1/6～1/3。

一種單晶爐，包括如上所述的導流筒。

由上述技術方案可知，本實用新型提供了一種導流筒及單晶爐，其有益效果是：將導流筒的內膽分為兩部分設計，上部分為由鉬金屬材質制成的鉬金屬部，下部分為由高純石墨材質制成的高純石墨部。一方面，高純石墨部靠近硅熔湯液面，鉬金屬部遠離硅熔湯液面，因此降低鉬金屬擴散，提高單晶硅品質；另一方面，位于導流筒上部的鉬金屬部能夠反射部分熱量，增加溫度梯度，提高單晶拉速。上述導流筒能夠在保證單晶拉速的基礎上，降低單晶硅金屬雜質含量，提高單晶硅品質，延長單晶硅使用壽命。

附圖說明

圖1是導流筒的結構示意圖。

圖中：導流筒10、外殼100、內膽200、絕熱層300、鉬金屬部210、高純石墨部220、重合部230。

具體實施方式

以下結合本實用新型的附圖，對本實用新型的技術方案以及技術效果做進一步的詳細闡述。