[實(shí)用新型]一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023165361.1
• 申請(qǐng)日: 2020-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN213716907U
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳金銘;葛柱;龍立俊;吳小紅;瞿勇銑
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東莞平晶微電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/80
• 分類號(hào): H01L29/80;H01L29/40;H01L23/32;H01L23/367;H01L23/373
• 代理公司: 深圳市千納專利代理有限公司 44218
• 代理人: 何耀煌

本實(shí)用新型公開了一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，包括卡接塊、P型襯底、源極極片、柵極極片和漏極極片，所述P型襯底的下表面固定安裝有上襯板，且上襯板的下表面固定安裝有上軸承，所述上軸承的轉(zhuǎn)動(dòng)安裝有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸的一端對(duì)接安裝有下軸承，所述下軸承的下表面固定安裝有下襯板，所述P型襯底的外表面等間距設(shè)有卡接塊，所述P型襯底的上表面貼服安裝有小型石墨烯導(dǎo)熱板。本實(shí)用新型通過在P型襯底的一端固定安裝有柵極極片和漏極極片，且柵極極片和漏極極片的外表面等間距設(shè)有多晶硅場(chǎng)極板，通過多晶硅場(chǎng)極板的使用，能夠在一定的情況上改善裝置使用時(shí)的電荷分布，從而能使裝置具有一定的耐高壓的能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。

背景技術(shù)

場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓放大器件，它具有三個(gè)電極：柵極、漏極、源極，并且通常是在單晶襯底上制作的，場(chǎng)效應(yīng)晶體管有兩種基本類型：結(jié)型(JFET)和金屬-氧化物型(MOSFET)，其中的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為n溝道和p溝道兩種，而對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管被使用與在大多的半導(dǎo)體領(lǐng)域中，這時(shí)，一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也就應(yīng)運(yùn)而生。

現(xiàn)有的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管存在的缺陷是：

1、現(xiàn)有的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，耐壓程度較低，無法做成耐高壓的結(jié)場(chǎng)型效應(yīng)管；

2、現(xiàn)有的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管大多會(huì)由于在高溫的情況下，PN結(jié)的反向電流會(huì)增大，柵源極之間的電阻會(huì)顯著下降，導(dǎo)致使用時(shí)會(huì)有一定的影響；

3、現(xiàn)有的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在安裝時(shí)，會(huì)受到一定的安裝環(huán)境的影響，導(dǎo)致安裝較為困難。

為此我們提出一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管來解決現(xiàn)有的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種耐高壓的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，包括卡接塊、P型襯底、源極極片、柵極極片和漏極極片，所述P型襯底的下表面固定安裝有上襯板，且上襯板的下表面固定安裝有上軸承，所述上軸承的轉(zhuǎn)動(dòng)安裝有轉(zhuǎn)軸，所述轉(zhuǎn)軸的一端對(duì)接安裝有下軸承，所述下軸承的下表面固定安裝有下襯板，所述P型襯底的外表面等間距設(shè)有卡接塊，所述P型襯底的上表面貼服安裝有小型石墨烯導(dǎo)熱板，所述P型襯底的一端固定安裝有柵極極片和漏極極片，且柵極極片和漏極極片的外表面等間距設(shè)有多晶硅場(chǎng)極板。

優(yōu)選的，所述卡接塊的外表面設(shè)有預(yù)裝孔，所述預(yù)裝孔的上表面貫穿安裝有緊固螺絲。

優(yōu)選的，所述小型石墨烯導(dǎo)熱板和P型襯底之間設(shè)有二氧化硅絕緣層。

優(yōu)選的，所述P型襯底的一端固定安裝有源極極片。

優(yōu)選的，所述源極極片、柵極極片和漏極極片的一端與P型襯底的一側(cè)均對(duì)接安裝有連接塊。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：

1、本實(shí)用新型通過在P型襯底的一端固定安裝有柵極極片和漏極極片，且柵極極片和漏極極片的外表面等間距設(shè)有多晶硅場(chǎng)極板，通過多晶硅場(chǎng)極板的使用，能夠在一定的情況上改善裝置使用時(shí)的電荷分布，從而能使裝置具有一定的耐高壓的能力。

2、本實(shí)用新型通過在P型襯底的上表面貼服安裝有小型石墨烯導(dǎo)熱板，通過小型石墨烯導(dǎo)熱板的使用，在裝置作業(yè)時(shí)，達(dá)到一定的導(dǎo)熱散熱的能力，避免在高溫的情況下，PN結(jié)的反向電流會(huì)增大，導(dǎo)致柵源極之間的電阻會(huì)顯著下降，影響裝置的使用的穩(wěn)定性，且縮短裝置的使用壽命。