[實用新型]一種用于激光脈沖測距的可調(diào)脈寬激光發(fā)射電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023163145.3
• 申請日: 2020-12-23
• 公開（公告）號: CN214041725U
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭玉剛
• 申請（專利權(quán)）人: 彭玉剛
• 主分類號: G01S7/484
• 分類號: G01S7/484;G01S17/10
• 代理公司: 北京八月瓜知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11543
• 代理人: 李斌

本實用新型公開了一種用于激光脈沖測距的可調(diào)脈寬激光發(fā)射電路，包括驅(qū)動IC、開關(guān)管Q1、激光二極管D1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C0、電容C01、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、HV?TX信號端、PWM信號端及C?start信號端。有益效果：本實用新型能夠巧妙達(dá)到調(diào)整激光脈寬的目的，成本相對普通激光發(fā)射模塊只增加了用于微分電路中的兩個元器件、一個貼片電阻及一個NPO或COG貼片電容，相對于測量誤差的改善，成本的增加可以忽略不計。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及激光測距的電子領(lǐng)域，具體來說，涉及一種用于激光脈沖測距的可調(diào)脈寬激光發(fā)射電路。

背景技術(shù)

在激光脈沖測距設(shè)備/工具中，如果采用前沿時間簽別方案，測量誤差有如下關(guān)系，△L＝Cx(△t1+△t2/SNR)/2，這里C為光速，△t1為計時脈沖周期，例如TDC-GP2的周期為50PS，△t2為發(fā)射的激光脈寬，例如為100ns，SNR為接受模塊的信噪比，一般為10，則△t2/SNR遠(yuǎn)大于△t1，這意味著測量誤差主要由Cx△t2/(2xSNR)決定，如果SNR已固定沒法改善，減小△t2也能減小誤差，由于考慮的激光及匹配的MOS驅(qū)動的成本，20ns至30ns脈寬為較好的性價比選擇，但現(xiàn)在一般的32位MCU由于性能配置不能直接輸出脈寬小于30ns，重復(fù)頻率1kHZ的PWM信號，對于用FPGA生成這1KHZ，20nS/30nS脈寬的PWM的方案性價比太差，一是FPGA開發(fā)增加成本，二是FPGA也很貴。

針對相關(guān)技術(shù)中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

實用新型內(nèi)容

針對相關(guān)技術(shù)中的問題，本實用新型提出一種用于激光脈沖測距的可調(diào)脈寬激光發(fā)射電路，以克服現(xiàn)有相關(guān)技術(shù)所存在的上述技術(shù)問題。

為此，本實用新型采用的具體技術(shù)方案如下：

一種用于激光脈沖測距的可調(diào)脈寬激光發(fā)射電路，包括驅(qū)動IC、開關(guān)管Q1、激光二極管D1、電容C1、電容C2、電容C3、電容C4、電容C5、電容C6、電容C0、電容C01、電阻R1、電阻R2、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R6、電阻R7、HV-TX信號端、PWM信號端及C-start信號端；所述驅(qū)動IC的第二端依次與所述驅(qū)動IC的第四端、所述電阻R1的一端及所述電容C1的一端連接，所述電阻R1的另一端接地，所述電容C1的另一端與所述PWM信號端連接，所述驅(qū)動IC的第三端接地，所述驅(qū)動IC的第一端與所述電阻R5的一端連接，所述電阻R5的另一端依次與所述電阻R2的一端、所述電容C3的一端、所述電容C2的一端及所述驅(qū)動IC的第六端連接，所述電阻R2的另一端與所述驅(qū)動IC的第八端連接，所述電容C3的另一端與所述電容C2的另一端連接并接地，所述驅(qū)動IC的第五端與所述驅(qū)動IC的第七端及所述開關(guān)管Q1的第一端連接，所述開關(guān)管Q1的第二端至第四端相互連接并接地，所述開關(guān)管Q1的第五端至第八端相互連接并與所述激光二極管D1的負(fù)極連接，所述激光二極管D1的正極依次與所述電容C5的一端、所述電容C4的一端、所述電容C6的一端及所述電阻R4的一端連接，所述電容C5的另一端與所述電容C4的另一端連接并接地，所述電容C6的另一端與所述電阻R6的一端連接，所述電阻R6的另一端與所述電阻R7的一端及C-start信號端連接，所述電阻R7的另一端接地，所述電阻R4的另一端與所述電阻R3的一端連接，所述電阻R3的另一端依次與所述電容C01的一端、所述電容C0的一端及所述HV-TX信號端連接，所述電容C01的另一端與所述電容C0的另一端連接并接地。

進(jìn)一步的，所述開關(guān)管Q1選擇為高速NMOS管。

進(jìn)一步的，所述電容C4及所述電容C5均為儲能電容，所述電容C0、C01、C2、C3均為濾波電容，所述電容C6為激光脈沖信號耦合電容。