[實用新型]一種環路電阻保護電路有效
| 申請號： | 202023146999.0 | 申請日： | 2020-12-23 |
| 公開（公告）號： | CN214380079U | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發明（設計）人： | 楊英振;史家濤;王飛飛;張迪;寧璐平 | 申請（專利權）人： | 濰柴動力股份有限公司 |
| 主分類號： | H02H9/02 | 分類號： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 藏斌 |
| 地址： | 261061 山東省濰坊*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 環路 電阻 保護 電路 | ||
1.一種環路電阻保護電路，其特征在于，包括：4-20mA電流傳感器、環路電阻R1、環路電阻R2、場效應晶體管MOSFETQ1、驅動電路和控制器MCU；
所述4-20mA電流傳感器的一端與電源電壓VCC相連，所述4-20mA電流傳感器的傳感器接口與所述環路電阻R1的一端相連，所述環路電阻R1的另一端與所述場效應晶體管MOSFETQ1的漏極相連；
所述場效應晶體管MOSFETQ1的源極與所述環路電阻R2的一端相連，所述環路電阻R2的另一端接地；
所述場效應晶體管MOSFETQ1的柵極與所述驅動電路的輸出端相連，所述驅動電路的輸入端與所述控制器MCU的輸出端相連，所述控制器MCU的采樣端口與所述4-20mA電流傳感器的傳感器接口相連；
當所述4-20mA電流傳感器的開啟早于所述場效應晶體管MOSFETQ1的開啟時，流經所述環路電阻R2的電流為0，使所述環路電阻R1無環路電流；
當所述4-20mA電流傳感器輸出的電流大于預設電流閾值時，所述場效應晶體管MOSFETQ1進入線性放大狀態，限制流入所述環路電阻R1和所述環路電阻R2的電流。
2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述驅動電路包括第一鎖存器U1和第一限流電阻R3；
所述第一鎖存器U1的輸入端與所述控制器MCU的輸出端相連，所述第一鎖存器U1輸出端與所述第一限流電阻R3的一端相連；
所述第一限流電阻R3的另一端與所述場效應晶體管MOSFETQ1的柵極相連。
3.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：取反電路和其他可配置電路；
所述取反電路的輸入端與所述驅動電路的輸入端與所述控制器MCU的輸出端相連處相連，所述取反電路的輸出端與所述其他可配置電路的輸入端相連，所述其他可配置電路的輸入端與所述4-20mA電流傳感器的傳感器接口與所述環路電阻R1的一端相連處相連。
4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述取反電路包括：第二鎖存器U2和反向器；
所述第二鎖存器U2的輸入端與所述控制器MCU的輸出端相連，所述第二鎖存器U2的輸出端與所述反向器的一端相連；
所述反向器的另一端與所述其他可配置電路的輸入端相連；
其中，所述第二鎖存器U2的輸入端為所述取反電路的輸入端，所述反向器的另一端為所述取反電路的輸出端。
5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，所述電路還包括：第二限流電阻R4；
所述第二限流電阻R4的一端與所述4-20mA電流傳感器的傳感器接口相連，所述第二限流電阻的另一端與所述控制器MCU的采樣端口相連。
6.根據權利要求5所述的電路，其特征在于，所述電路還包括分壓電阻R5和開關K1；
所述分壓電阻R5的一端與所述第二限流電阻R4的另一端與所述控制器MCU的輸入端相連處相連，所述分壓電阻R5的另一端與所述開關K1的一端相連，其中，所述開關K1的狀態為斷開狀態；
所述開關K1的另一端接地，所述開關K1的另一端與所述第二鎖存器U2的輸入端相連。
7.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述環路電阻R2可以為所述4-20mA電流傳感器的取樣電阻。
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