[實(shí)用新型]一種α、β表面沾染檢測(cè)儀的γ射線采集和處理電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202023090553.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN214122477U
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜英軒;鄧偵長(zhǎng);王偉;陳旭;王志超;王協(xié)宇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍32266部隊(duì)
• 主分類號(hào): G01T1/167
• 分類號(hào): G01T1/167
• 代理公司: 廣州圣理華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44302
• 代理人: 李唐明

1.一種α、β表面沾染檢測(cè)儀的γ射線采集和處理電路，其特征在于，包括高壓電源模塊、G-M管驅(qū)動(dòng)模塊、波形處理模塊以及MCU模塊；

所述高壓電源模塊配置為向G-M管驅(qū)動(dòng)模塊提供其產(chǎn)生信號(hào)所需的電壓；所述G-M管驅(qū)動(dòng)模塊配置為向波形處理模塊發(fā)送模擬信號(hào)；所述波形處理模塊配置為接收來(lái)自G-M管驅(qū)動(dòng)模塊的γ射線計(jì)數(shù)模擬信號(hào)，將γ射線計(jì)數(shù)模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)后，發(fā)送至MCU模塊處理；

所述高壓電源模塊至少包括高壓電路、高壓變壓器和四倍壓整流電路；其中，所述高壓電路用于控制高壓電源模塊的通斷，所述高壓變壓器用于控制次級(jí)電壓為100-150V；所述四倍壓整流電路用于為G-M管驅(qū)動(dòng)模塊輸出電流；

所述G-M管驅(qū)動(dòng)模塊至少包括G-M計(jì)數(shù)管，所述G-M計(jì)數(shù)管用于檢測(cè)和采集γ射線，并對(duì)γ射線進(jìn)行計(jì)數(shù)；所述G-M管驅(qū)動(dòng)模塊通過(guò)電阻與高壓電源模塊形成連接，并通過(guò)接地將信號(hào)引出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述高壓電路至少包括第一高壓芯片U3、電阻R3和電容C8；其中，所述第一高壓芯片U3包括GND引腳、Vin引腳、EN引腳、SCL引腳、SDA引腳、HV引腳，其中，GND引腳接地，Vin引腳接12V電源，SCL引腳接所述高壓變壓器，EN引腳以及SDA引腳均與MCU模塊連接；第一高壓芯片U3的HV引腳接電阻R3，電阻R3另一端接電容C8，電容C8另一端接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述第一高壓芯片U3的型號(hào)為PY120-1000。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述高壓電路至少包括第二高壓芯片U4，電阻R16，以及電容C18、C19、C20；所述第二高壓芯片U4包括GND引腳、+5V引腳、EN引腳、SCL引腳、SDA引腳、HV引腳；其中，GND引腳接地，+5V引腳接5V電源，EN引腳以及SDA引腳均與MCU模塊連接；所述電容C18、C19、C20并聯(lián)后，與電阻R16連接，電阻R16的另一端與第二高壓芯片U4的HV引腳連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述第二高壓芯片U4的型號(hào)為PY50-1000。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述高壓電路還包括高壓控制器，所述高壓控制器的型號(hào)為L(zhǎng)T3758。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述高壓變壓器的磁芯采用EE13鐵氧體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述高壓電源模塊為G-M管驅(qū)動(dòng)模塊提供的電壓為400V～600V的直流電壓。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的γ射線采集和處理電路，其特征在于，所述G-M管驅(qū)動(dòng)模塊包括兩只量程大小不同的G-M計(jì)數(shù)管。