[實用新型]一種半導體用的立式高溫化學氣相沉積爐有效
| 申請號: | 202023053090.0 | 申請日: | 2020-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN214529232U | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發明(設計)人: | 唐蓉;吳漢濤;孫玨 | 申請(專利權)人: | 無錫恒大電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/52;C23C16/54 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市建*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 立式 高溫 化學 沉積 | ||
本實用新型涉及氣相沉積爐技術領域,且公開了一種半導體用的立式高溫化學氣相沉積爐,包括爐體,所述爐體的側部固定連接有固定圈,所述固定圈的側部固定連接有連接口,爐體兩端固定連接有爐蓋圈;該半導體用的立式高溫化學氣相沉積爐,將連接桿的一端螺絲紋接口固定連接在爐體側部固定連接的固定圈側部固定連接的連接口的內側,連接桿的另一端固定連接在底座板兩端固定連接的防護板一側固定連接的固定片的一側,使爐體懸空,將加熱器的一端固定連接在爐體底部固定連接的爐蓋的內側,碳源氣體從爐體頂端固定連接的進料口投入至爐體的內部,從而通過加熱器將底部堆積的碳源氣體進行加熱,從而提高了實用性。
技術領域
本實用新型涉及氣相沉積爐技術領域,具體為一種半導體用的立式高溫化學氣相沉積爐。
背景技術
氣相沉積爐為沉積爐主體內有加熱室,水冷電極,測溫熱電偶,是處理工件的核心部分,化學氣相沉積爐是利用化學氣相沉積的原理,將參與化學反應的物質,加熱到一定工藝溫度,在真空泵抽氣系統產生的引力作用下,引至沉積室進行反應、沉積,生成新的固態物質,為了得到工藝要求的沉積厚度,此沉積過程一般需連續工作20天左右,為了更好的制備出高質量的產品,沉積過程不僅要求在非常潔凈的環境下進行,如果沉積室內有粉末存在會影響沉積效果,且要求沉積過程連續正常進行。
現有的技術存在以下技術問題:
1、現有的化學氣相沉積爐,大多是從爐體的底部通過安裝多路進氣管向爐內投入碳源氣體,碳源氣體沉積在爐體內的底部,碳源氣體的累積疊加在一起,從而造成爐體最底層的溫度過低,達不到沉積溫度。
2、現有的化學氣相沉積爐,雖然在爐體的底部固定連接有加熱器,但是其安裝較為麻煩,并且爐內最底端的產品堆積在加熱器的上方,從而影響加熱器的加熱效果。
實用新型內容
(一)解決的技術問題
針對現有技術的不足,本實用新型提供了一種半導體用的立式高溫化學氣相沉積爐,具備能夠有效的將爐體底端的產品進行加熱以及最底端的產品堆積在加熱器上不會影響加熱器的加熱效果等優點,解決了現有的技術中物體底部的產品無法有效加熱以及產品堆積在加熱器上影響加熱器揮發作用的問題。
(二)技術方案
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種半導體用的立式高溫化學氣相沉積爐,包括爐體,所述爐體的側部固定連接有固定圈,所述固定圈的側部固定連接有連接口,爐體兩端固定連接有爐蓋圈,所述爐蓋圈的側部固定連接有固定螺絲,所述固定螺絲的一側固定連接有爐蓋,所述爐蓋的頂部固定連接有進料口,所述進料口的一側固定連接有位于爐體底端的下密封蓋,連接口內側設置有連接桿,所述連接桿的一端設有螺絲紋接口,連接桿一端設置有連接接口,所述連接接口的側部固定連接有連接圈,所述連接圈的一側固定連接有固定片,所述固定片的側部開設有螺絲孔,所述螺絲孔的側部固定連接有防護板,所述防護板的底端固定連接有底座板,所述底座板的一側固定連接有位于下密封蓋內側的加熱器,所述加熱器的一側固定連接有接口,所述接口的一側固定連接有位于加熱器一側的防護圈,所述防護圈的一側固定連接有位于加熱器內側的加熱絲。
優選的,所述爐體的頂部和底部均固定連接有爐蓋圈,所述爐蓋的側部固定連接有爐蓋圈,所述爐體的頂部和底部固定連接有爐蓋圈和爐蓋,爐蓋圈通過固定螺絲與爐體固定連接。
優選的,所述爐體頂部和底部固定連接的爐蓋的形狀相同,所述爐體頂端固定連接的爐蓋的一側固定連接的進料口不可拆卸,且進料口與爐體的內部相通,所述爐體底端固定連接的爐蓋的一側固定連接的下密封蓋固定連接后可拆卸。
優選的,所述爐體的側部固定連接的固定圈的側部向對應位置均固定連接有連接口,所述連接桿一端通過設有的螺絲紋接口固定連接在連接口的內側,所述連接桿的另一端通過固定連接的連接接口固定連接在固定片底部固定連接的連接圈的內側。
優選的,所述底座板的兩端均固定連接有防護板,所述防護板一側的相對應位置固定連接有固定片。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





