[實用新型]疊設高摻雜層的GaN單晶襯底

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023034009.4
• 申請日: 2020-12-16
• 公開（公告）號: CN214830784U
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發(fā)明（設計）人: 顧泓;劉宗亮;徐科
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B9/12;C30B23/00
• 代理公司: 南京利豐知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種疊設高摻雜層的GaN單晶襯底，其特征在于包括籽晶以及依次疊設在所述籽晶上的第一非摻雜氮化鎵層、多個高摻雜氮化鎵層和多個第二非摻雜氮化鎵層，所述多個高摻雜氮化鎵層和多個第二非摻雜氮化鎵層周期性地依次交替疊設在所述第一非摻雜氮化鎵層上。

2.根據(jù)權利要求1所述的疊設高摻雜層的GaN單晶襯底，其特征在于：所述第一非摻雜氮化鎵層的厚度為20-50 μm，所述高摻雜氮化鎵層的厚度為20-50 μm，所述第二非摻雜氮化鎵層的厚度為300-400 μm，所述高摻雜氮化鎵層的摻雜濃度為≥10¹⁹ cm^-3。

3.根據(jù)權利要求1所述的疊設高摻雜層的GaN單晶襯底，其特征在于包括籽晶以及依次疊設在所述籽晶上的第一非摻雜氮化鎵層、第一高摻雜氮化鎵層、第二非摻雜氮化鎵層和第二高摻雜氮化鎵層。

4.根據(jù)權利要求3所述的疊設高摻雜層的GaN單晶襯底，其特征在于包括多個第二非摻雜氮化鎵層和多個第二高摻雜氮化鎵層，所述多個第二非摻雜氮化鎵層和多個第二高摻雜氮化鎵層呈周期性地依次交替疊設在所述第一高摻雜氮化鎵層上。

5.根據(jù)權利要求3所述的疊設高摻雜層的GaN單晶襯底，其特征在于：所述第一非摻雜氮化鎵層的厚度為20-50 μm，所述第一高摻雜氮化鎵層的厚度為20-50 μm，所述第一高摻雜氮化鎵層的摻雜濃度為≥10¹⁹ cm^-3，所述第二非摻雜氮化鎵層的厚度為300-400 μm，所述第二高摻雜氮化鎵層的厚度為20-50 μm，所述第二高摻雜氮化鎵層的摻雜濃度為≥10¹⁹cm^-3。

6.根據(jù)權利要求1所述的疊設高摻雜層的GaN單晶襯底，其特征在于：所述非摻雜氮化鎵層和高摻雜氮化鎵層是在助熔劑法生長過程中通過改變生長條件獲得的，其中，所述籽晶包括GaN籽晶。