[實(shí)用新型]一種儲能系統(tǒng)的高電壓穿越模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202023016887.3
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN214069593U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張新濤;靳釗釗;劉永奎;李杰;曹立航
• 申請（專利權(quán)）人: 西安奇點(diǎn)能源技術(shù)有限公司
• 主分類號: H02J3/32
• 分類號: H02J3/32;H02J7/00;H02H7/18
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 張海平

1.一種儲能系統(tǒng)的高電壓穿越模塊，其特征在于，包括開關(guān)單元、驅(qū)動(dòng)單元、電源單元、采樣單元以及控制單元；

所述開關(guān)單元一端與電池正極連接，另一端與儲能變流器直流側(cè)連接；所述電源單元從儲能系統(tǒng)取電為驅(qū)動(dòng)單元和采樣單元提供電能；所述驅(qū)動(dòng)單元連接所述開關(guān)單元，所述采樣單元設(shè)置在電網(wǎng)和網(wǎng)側(cè)用于采集電壓、電流，采樣單元與控制單元連接；所述控制單元發(fā)送控制指令至驅(qū)動(dòng)單元控制開關(guān)單元關(guān)斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種儲能系統(tǒng)的高電壓穿越模塊，其特征在于，所述開關(guān)單元為電子開關(guān)或機(jī)械開關(guān)，電子開關(guān)包括MOS管、IGBT器件或SIC器件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種儲能系統(tǒng)的高電壓穿越模塊，其特征在于，所述MOS管包括NMOS管和PMOS管中一種、多種串聯(lián)或多種并聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種儲能系統(tǒng)的高電壓穿越模塊，其特征在于，所述開關(guān)單元采用多個(gè)MOS管并聯(lián)，多個(gè)MOS管并聯(lián)采用一驅(qū)動(dòng)單元驅(qū)動(dòng)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種儲能系統(tǒng)的高電壓穿越模塊，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)單元包括RC濾波器、光耦芯片U1、推挽電路、驅(qū)動(dòng)電阻R4和吸收電路；

PWM信號端串聯(lián)電阻R1，電阻R1與光耦芯片U1輸入端連接，RC濾波器并聯(lián)在電阻R1與地之間；光耦芯片U1輸出端串聯(lián)電阻R3，電阻R3另一端分別連接推挽電路Q1和推挽電路Q2，推挽電路Q1連接VCC電壓源，推挽電路Q2接地；

推挽電路Q1和推挽電路Q2中點(diǎn)串聯(lián)驅(qū)動(dòng)電阻R4，驅(qū)動(dòng)電阻R4連接第一MOS管，驅(qū)動(dòng)電阻R4還通過吸收電路連接第二MOS管；

推挽電路Q1和推挽電路Q2兩端并聯(lián)有串聯(lián)的電容C3、電容C4和串聯(lián)的穩(wěn)壓管D1、電阻R6；電容C3、電容C4的中點(diǎn)連接穩(wěn)壓管D1、電阻R6的中點(diǎn)，并連接至第三MOS管。