[實用新型]一種復合膜層、光源器件及電子設備有效
| 申請號： | 202023015083.1 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN214203725U | 公開（公告）日： | 2021-09-14 |
| 發明（設計）人： | 李鋒;田旺遠;吉愛華 | 申請（專利權）人： | 深圳市光脈電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/26 | 分類號： | H01L33/26 |
| 代理公司： | 深圳市世聯合知識產權代理有限公司 44385 | 代理人： | 汪琳琳 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 光源 器件 電子設備 | ||
1.一種復合膜層，其特征在于，所述復合膜層包括襯底以及依次層疊設置的電子傳輸層、鈣鈦礦層、空穴傳遞層和透明層，所述電子傳輸層設置于所述襯底的頂面；
其中，所述襯底為第一電極層，所述透明層為第二電極層；
所述鈣鈦礦層為二維層狀結構。
2.根據權利要求1所述的復合膜層，其特征在于，所述鈣鈦礦層為硫系鈣鈦礦膜層。
3.根據權利要求2所述的復合膜層，其特征在于，所述鈣鈦礦層的厚度范圍為500～1300nm。
4.根據權利要求2所述的復合膜層，其特征在于，所述鈣鈦礦層形成的單重激發態與三重激發態的比值為1:3。
5.根據權利要求1所述的復合膜層，其特征在于，所述襯底包括金屬層，且所述襯底的厚度范圍為10～20μm。
6.根據權利要求1所述的復合膜層，其特征在于，所述空穴傳遞層包括氧化鋁層，且所述空穴傳遞層的厚度范圍為100～200μm；
所述電子傳輸層包括氧化亞鐵層，且所述電子傳輸層的厚度范圍為100～200μm。
7.一種光源器件，其特征在于，所述光源器件包括電源組件和如權利要求1至6任一項所述的復合膜層；
所述電源組件的輸出端與所述透明層電連接，所述電源組件的輸入端與所述襯底電連接；當所述電源組件向所述復合膜層供電時，所述復合膜層形成發光件。
8.根據權利要求7所述的光源器件，其特征在于，所述電源組件包括蓄能裝置和光能轉化層，所述蓄能裝置的輸入端和輸出端均與所述光能轉化層連接；
所述光能轉化層用于吸收光能并轉化為電能儲存于所述蓄能裝置中。
9.根據權利要求8所述的光源器件，其特征在于，所述光能轉化層為硫系鈣鈦礦層或所述復合膜層。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求7至9任一項所述的光源器件。
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