[實用新型]一種基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器

有效

• 申請號: 202023015005.1
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN214069889U
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 涂小軍;郭振;任紀元;趙祎
• 申請（專利權）人: 深圳市振華微電子有限公司
• 主分類號: H03D7/16
• 分類號: H03D7/16
• 代理公司: 深圳市諾正鑫澤知識產權代理有限公司 44689
• 代理人: 羅華

一種基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器包括二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4、電容C3、第一混頻器巴倫和第二混頻器巴倫，所述二極管D1與所述二極管D2連接，所述二極管D2與所述二極管D3連接，所述二極管D3與所述二極管D4連接，所述二極管D4與所述二極管D1連接，所述二極管D1、二極管D2、二極管D3和二極管D4首尾相接組成環形，所述第一混頻器巴倫的1腳與所述二極管D1的1腳連接，所述第一混頻器巴倫的2腳與所述二極管D3的1腳連接，所述第二混頻器巴倫的1腳與所述二極管D4的1腳電連接，所述第二混頻器巴倫的2腳與所述電容C3連接，所述第二混頻器巴倫的3腳與所述二極管D2的1腳連接。

技術領域

本實用新型涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器。

背景技術

現有無源混頻器是微波電路與系統中必不可少的元器件，是基于器件的非線性特性對輸入信號的頻段進行頻譜搬移，無源混頻器的特點是結構簡單，便于集成，性能穩定，電特性的一致性較好，工作頻段也能做到較寬。其中，雙平衡混頻器由于帶寬很寬，組合頻率分量少，隔離度良好，動態范圍大，電路復雜度適中。無源混頻器設計已經朝著高性能、低成本、高集成度、寬頻帶為發展方向，但是現有的雙平衡混頻器的隔離度較低，體積較大，現急需一種隔離度較高，體積較小的雙平衡混頻器。

實用新型內容

為了解決上述問題，本實用新型提出一種基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器，能夠有效地解決上述問題。

本實用新型通過以下技術方案實現的：

本實用新型提出一種基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器，所述基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器包括二極管D1、二極管D2、二極管D3、二極管D4、電容C3、第一混頻器巴倫和第二混頻器巴倫，所述二極管D1與所述二極管D2連接，所述二極管D2與所述二極管D3連接，所述二極管D3與所述二極管D4連接，所述二極管D4與所述二極管D1連接，所述二極管D1、二極管D2、二極管D3和二極管D4首尾相接組成環形，所述第一混頻器巴倫的1腳與所述二極管D1的1腳連接，所述第一混頻器巴倫的2腳與所述二極管D3的1腳連接，所述第二混頻器巴倫的1腳與所述二極管D4的1腳電連接，所述第二混頻器巴倫的2腳與所述電容C3連接，所述第二混頻器巴倫的3腳與所述二極管D2的1腳連接。

進一步的，所述基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器設有電容C1，所述電容C1與所述第一混頻器巴倫的3腳連接。

進一步的，所述基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器設有電容C2，所述電容C2與所述第二混頻器巴倫的4腳連接。

進一步的，所述基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器設有第一導體層、介質層和基板，所述基板設有第二導體層和接地層，所述第二導體層設有通孔，所述通孔使所述介質層和所述基板相連通。

本實用新型的有益效果：

本實用新型提出一種基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器，所述無源雙平衡混頻器的設計中，巴倫的性能將直接影響到混頻器整體的性能，本發明在傳統的雙平衡混頻器的巴倫中間并聯一個對地的電容，由于螺旋線變壓器Marchand巴倫的寄生電容太小，不能滿足巴倫平衡的要求，因此需要在巴倫中間并聯一個對地的電容，可以通過調節這個對地電容來調節巴倫兩端口的相位平衡，從而提高混頻器的隔離度。為減小體積，混頻器巴倫采用的是螺旋線Marchand巴倫，并采用精細的薄膜生產工藝。

附圖說明

圖1為本實用新型的基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器的電路圖；

圖2為本實用新型的基于薄膜工藝的C波段雙平衡混頻器基板的疊構側視圖。

具體實施方式

為了更加清楚、完整的說明本實用新型的技術方案，下面結合附圖對本實用新型作進一步說明。