[實用新型]一種MOS延遲保護電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202022987260.6 | 申請日： | 2020-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN213782866U | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃美紅 | 申請（專利權(quán)）人： | 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號： | H02H7/20 | 分類號： | H02H7/20 |
| 代理公司： | 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105 | 代理人： | 黃曉燕 |
| 地址： | 250101 山東省濟南*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mos 延遲 保護 電路 | ||
1.一種MOS延遲保護電路，包括保護電路控制芯片和MOS管，所述保護電路控制芯片分別連接監(jiān)控信號和MOS管的柵極，MOS管的漏極和源極分別連接檢測信號的輸入端和輸出端；其特征是，所述保護電路還包括MOS保護模塊，所述MOS保護模塊連接MOS管的柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述MOS延遲保護電路，其特征是，所述MOS保護模塊包括二極管D1、三極管Q和電容C，所述二極管D1的正極分別連接MOS管的柵極和三極管Q的基極，二極管D1的負極分別連接三極管Q的發(fā)射極和電容C的一端，所述三極管Q的集電極和電容C的另一端均接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述MOS延遲保護電路，其特征是，所述三極管為PNP型三極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述MOS延遲保護電路，其特征是，所述MOS保護模塊還包括限流電阻R，所述限流電阻R的兩端分別連接二極管D的正極和三極管Q的基極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述MOS延遲保護電路，其特征是，所述保護電路還包括延遲電容C1和C2，所述電容C1的兩端分別連接監(jiān)控信號的輸出端和地，所述電容C2與電容C1并聯(lián)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述MOS延遲保護電路，其特征是，所述保護電路還包括二極管D2，所述二極管D2的正極接地，負極連接監(jiān)控信號的輸入端。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司，未經(jīng)浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202022987260.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種導體類金屬件噴砂機
- 下一篇：一種林業(yè)樹木修剪裝置
