[實(shí)用新型]一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202022986594.1
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN214371059U
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉凌波;吳永慶;翟仁爽
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州大和熱磁電子有限公司
• 主分類號: F25B21/02
• 分類號: F25B21/02;H05K9/00
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109
• 代理人: 鄭汝珍

1.一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，包括依次固定連接設(shè)置的底座（8）、雙層半導(dǎo)體制冷片和屏蔽片（1）；底座（8）包括若干引腳，底座（8）的引腳分別與外部電源連接，底座（8）的引腳通過導(dǎo)線（7）與雙層半導(dǎo)體制冷片連接；雙層半導(dǎo)體制冷片包括依次固定連接的上層陶瓷基板（2）、上層半導(dǎo)體顆粒（3）、中間層陶瓷基板（4）和下層半導(dǎo)體顆粒（5）雙層半導(dǎo)體制冷片的上下兩層通過電鍍層進(jìn)行連接，相應(yīng)位置的上層半導(dǎo)體顆粒（3）和下層半導(dǎo)體顆粒（5）串聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，所述的底座（8）與雙層半導(dǎo)體制冷片之間以及雙層半導(dǎo)體制冷片和屏蔽片（1）之間通過焊錫焊接；所述的焊錫采用熔點(diǎn)在120~220℃之間，導(dǎo)熱率在2.5~10W/（m·K）之間的銀膠或?qū)岘h(huán)氧膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，所述的雙層半導(dǎo)體制冷片與底座（8）之間的焊錫溫度在200~220℃之間；屏蔽片（1）與雙層半導(dǎo)體制冷片之間的焊錫溫度在120~180℃之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，所述的屏蔽片（1）包括一體的固定部和遮擋部，固定部與雙層半導(dǎo)體焊接，固定部通過遮擋部與底座之間形成屏蔽腔，雙層半導(dǎo)體制冷片設(shè)置在屏蔽腔內(nèi)，屏蔽腔內(nèi)抽真空。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，所述的雙層半導(dǎo)體制冷片各層的半導(dǎo)體顆粒串聯(lián)成若干個制冷回路，每個制冷回路均引出導(dǎo)線分別與底座的引腳連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，所述的底座（8）的引腳包括上引腳（81）和下引腳（82），上引腳（81）嵌套在下引腳（82）上，上引腳（81）的下方設(shè)置有擋沿（84），擋沿（84）與底座（8）內(nèi)的頂面之間設(shè)置有彈簧（83）；擋沿（84）與底座（8）的底面之間設(shè)置有用于抬起上引腳（81）的滑動卡座（85）。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種帶屏蔽層及底座的深度半導(dǎo)體制冷模塊，其特征在于，所述的滑動卡座（85）包括一體的卡接部和抬升部，卡接部與抬升部中間均設(shè)置有適配引腳寬度的容槽，卡接部與抬升部連接的另一端設(shè)置有卡扣，底座（8）底面設(shè)置有適配卡扣的卡槽和適配滑動卡座（85）滑動的滑槽，所述的抬升部呈高度逐漸上升的臺狀。