[實用新型]體聲波諧振結構

有效

• 申請號: 202022975846.0
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN214851160U
• 公開（公告）日: 2021-11-23
• 發明（設計）人: 張大鵬;林瑞欽
• 申請（專利權）人: 武漢衍熙微器件有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H9/02;H03H9/13;H03H3/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李路遙;張穎玲

本實用新型實施例公開了一種體聲波諧振結構，包括：襯底；位于襯底上的第一電極層；其中，所述襯底和所述第一電極層之間形成有反射結構；位于所述第一電極層上的壓電層；位于所述壓電層上的第二電極層；位于所述第二電極層上的邊框；所述邊框具有環狀立體結構；所述邊框處于第一區域的邊緣；所述第一區域包括所述第一電極層、反射結構、壓電層以及第二電極層分別在第一平面上的投影的重疊區域。

技術領域

本實用新型實施例涉及半導體領域，特別涉及一種體聲波諧振結構。

背景技術

體聲波(BAW，Bulk Acoustic Wave)諧振器(或稱為“體聲波諧振結構”)具有體積小、品質因數(Q值)高等優點，因此，被廣泛應用在移動通訊技術中，如移動終端中的濾波器或雙工器。而在移動終端中，存在多個頻段同時使用的情況，這要求濾波器或雙工器具有更加陡峭的裙邊和更小的插入損耗。濾波器的性能由構成它的波諧振器決定，提高諧振器的Q值可以實現陡峭的裙邊和小的插入損耗。如何提高體聲波諧振器的Q值成為亟待解決的問題。

實用新型內容

有鑒于此，本實用新型實施例提供一種體聲波諧振結構。

本實用新型實施例提供了一種體聲波諧振結構，包括：

襯底；

位于襯底上的第一電極層；其中，所述襯底和所述第一電極層之間形成有反射結構；

位于所述第一電極層上的壓電層；

位于所述壓電層上的第二電極層；

位于所述第二電極層上的邊框；所述邊框具有環狀立體結構；所述邊框處于第一區域的邊緣；所述第一區域包括所述第一電極層、反射結構、壓電層以及第二電極層分別在第一平面上的投影的重疊區域。

上述方案中，所述邊框的外輪廓包括封閉、且寬度均勻的線段。

上述方案中，所述邊框的寬度包括：2.5um～2.9um。

上述方案中，所述邊框的厚度包括：180nm～250nm。

上述方案中，所述邊框的厚度包括：200nm。

上述方案中，所述壓電層的厚度為所述邊框的厚度的3-4.5倍。

上述方案中，所述壓電層的厚度為所述邊框的厚度的4倍。上述方案中，所述邊框的組成材料包括鋁。

上述方案中，所述反射結構包括形成在所述襯底表面和所述第一電極層之間的空腔。

上述方案中，所述反射結構包括交替層疊設置的第一介質層和第二介質層；其中，所述第一介質層的聲阻抗和所述第二介質層的聲阻抗不同。

本實用新型實施例提供了一種體聲波諧振結構，包括：襯底；位于襯底上的第一電極層；其中，所述襯底和所述第一電極層之間形成有反射結構；位于所述第一電極層上的壓電層；位于所述壓電層上的第二電極層；位于所述第二電極層上的邊框；所述邊框具有環狀立體結構；所述邊框處于第一區域的邊緣；所述第一區域包括所述第一電極層、反射結構、壓電層以及第二電極層分別在第一平面上的投影的重疊區域。本實用新型實施例中，在上電極(第二電極層)上的有源區(第一區域)的邊緣設置具有環形立體結構的邊框，該邊框能夠抑制體聲波諧振器在受到電場激勵時產生的橫向剪切波向外部區域傳播，將能量限制在有源區內的縱波上，減小能量的泄露，從而提高Q值。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的體聲波諧振結構中壓電層因壓電效應而產生聲波的示意圖；

圖2為本實用新型實施例提供的體聲波諧振結構中是否存在邊框時的史密斯圓圖示意圖；

圖3a為本實用新型實施例提供的一種體聲波諧振結構100的俯視示意圖；